STMicroelectronics STGW30NC60WD IGBT N-csatornás, 30 A, 600 V, 1 MHz, 3-tüskés Furatszerelt, TO-247

Minden IGBT-k megtekintése
Összevont kedvezmény elérhető
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintése

Részösszeg (1 csomag / 2 egység)*

3754 Ft

(ÁFA nélkül)

4768 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
A készletinformáció jelenleg nem elérhető - Kérjük, látogasson vissza később

Egység
Egységenként
csomagonként*
2 - 181 877 Ft3 754 Ft
20 - 981 652 Ft3 304 Ft
100 - 1981 475,50 Ft2 951 Ft
200 +1 267 Ft2 534 Ft

*irányár

Csomagolás típusa:
RS raktári szám:
795-9198
Gyártó cikkszáma:
STGW30NC60WD
Gyártó:
STMicroelectronics
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

STMicroelectronics

Terméktípus

IGBT

Maximális folyamatos kollektoráram Ic

30A

Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo

600V

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

200W

Csomag típusa

TO-247

Rögzítés típusa

Furatszerelt

Csatorna típusa

N

Tüskék száma

3

Kapcsolási típus

1MHz

Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT

2.5V

Min. működési hőmérséklet

-55°C

Maximális kapu-emitter feszültség VGEO

±20 V

Maximális működési hőmérséklet

150°C

Magasság

20.15mm

Szélesség

15.75mm

Szabványok/jóváhagyások

JEDEC Standard JESD97

Hossz

14.8mm

Járműipari szabvány

Nem

IGBT diszkrét, STMicroelectronics


IGBT diszkrét és modulok, STMicroelectronics


A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Kapcsolódó linkek