Toshiba GT15J341 IGBT N-csatornás, 15 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220SIS Furatszerelt

Részösszeg (50 egység, 50 kiszerelésű tubusban)*

30 135 Ft

(ÁFA nélkül)

38 270 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
A készletinformáció jelenleg nem elérhető - Kérjük, látogasson vissza később
Egység
Egységenként
csövenként*
50 +602,70 Ft30 135 Ft

*irányár

RS raktári szám:
168-7763
Gyártó cikkszáma:
GT15J341
Gyártó:
Toshiba
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

Toshiba

Maximális folyamatos kollektoráram Ic

15A

Terméktípus

IGBT

Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo

600V

Csomag típusa

TO-220SIS

Rögzítés típusa

Furatszerelt

Csatorna típusa

N

Tüskék száma

3

Maximális kapu-emitter feszültség VGEO

25 V

Maximális működési hőmérséklet

150°C

Származási ország (Country of Origin):
JP

IGBT diszkrét Toshiba


IGBT diszkrét modulok és modulok, Toshiba


A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.