onsemi FGH75T65SHDTL4 IGBT P-csatornás, 150 A, 650 V, 1MHz, 4-tüskés, TO-247 1 Egyszeres

RS raktári szám:: 181-1889
Gyártó cikkszáma:: FGH75T65SHDTL4
Gyártó:: onsemi

onsemi FGH75T65SHDTL4 IGBT P-csatornás, 150 A, 650 V, 1MHz, 4-tüskés, TO-247 1 Egyszeres

Átmenetileg nincsen raktáron, előre megrendelhető és amint raktáron van, szállítjuk

Ár Darab

2 402 Ft

(ÁFA nélkül)

3 051 Ft

(ÁFÁ-val)

Egység	Egységenként
1 - 9	2 402 Ft
10 - 99	2 063 Ft
100 - 249	1 708 Ft
250 - 499	1 607 Ft
500 +	1 505 Ft

RS raktári szám:: 181-1889
Gyártó cikkszáma:: FGH75T65SHDTL4
Gyártó:: onsemi

Műszaki referencia

Datasheet

Engedélyezés és megfelelőség

Származási ország (Country of Origin):: CN

Termékadatok

Az IGBT technológia új mezőleállító eleme, az IGBT 3. Generációjának új sorozata biztosítja az optimális teljesítményt a napinverter, a UPS, a hegesztő, a távközlés, az ESS és a PFC alkalmazások számára, ahol a gyenge vezetőképesség és kapcsolási veszteségek elengedhetetlenek.

pn-átmenet maximális hőmérséklete: TJ = 175 °C
Pozitív hőmérsékleti együttható az egyszerű párhuzamos működtetésért
Nagy áramterhelés
Alacsony Szaturációs feszültség: VCE (sat) =1,6 V (Typ.) @ IC = 75 A
Az ILM-hez Tesztelt alkatrészek 100%-a(1)
Nagy bemeneti impedancia
Gyors kapcsolás
Szűkebb paramétereloszlás

Jellemzők

Tulajdonság	Érték
Maximális folyamatos kollektoráram	150 A
Maximális kollektor kibocsátó feszültség	650 V
Maximális kapu kibocsátó feszültség	±20V
Tranzisztorok száma	1
Maximális teljesítménydisszipáció	455 W
Csomag típusa	TO-247
Rögzítés típusa	Furatszerelt
Csatorna típusa	P
Tüskék száma	4
Kapcsolási sebesség	1MHz
Tranzisztorkonfiguráció	Egyszeres
Méret	15.8 x 5.2 x 22.74mm
Maximális működési hőmérséklet	+175 °C
Energiabesorolás	160mJ
Min. működési hőmérséklet	-55 °C
Kapukapacitás	3710pF