STMicroelectronics STGWA20HP65FB2 IGBT N-csatornás, 40 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 1

Jelenleg nem elérhető
Nem tudjuk, hogy ez a tétel elérhető lesz-e még raktáron, mivel az RS hamarosan eltávolítja a kínálatunkból.
RS raktári szám:
204-3945
Gyártó cikkszáma:
STGWA20HP65FB2
Gyártó:
STMicroelectronics
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

STMicroelectronics

Terméktípus

IGBT

Csatorna típusa

N

Maximális folyamatos kollektoráram (Ic)

40 A

Maximális kollektor kibocsátó feszültség (Vceo)

650 V

Tüskék száma

3

Csomag típusa

TO-247

Tranzisztorok száma

1

Maximális kapu-emitter feszültség (VGEO)

20 V

Származási ország (Country of Origin):
CN
The STMicroelectronics HB2 series 650 V IGBT represents an evolution of the Advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy. A diode used for protection purposes only is co-packaged in antiparallel with the IGBT. The result is a product specifically designed to maximize efficiency for a wide range of fast applications.

Maximum junction temperature of 175°C

Co-packaged protection diode

Minimized tail current

Tight parameter distribution

Low thermal resistance

Positive temperature coefficient

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.