STMicroelectronics IGBT N-csatornás, 40 A, 650 V, 1 MHz, 3-tüskés Furatszerelt, TO-220FP
- RS raktári szám:
- 204-9872P
- Gyártó cikkszáma:
- STGF20H65DFB2
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Vásároljon nagy mennyiségben kedvezménnyel
További 250 hozzáadása 10% megtakarításához
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintéseRészösszeg 50 egység (tubusban szállítva)*
37 610 Ft
(ÁFA nélkül)
47 765 Ft
(ÁFÁ-val)
INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén
Utolsó RS készlet
- Utolsó 25 egység, szállításra készen áll egy másik helyről a szállításra
Egység | Egységenként | Megtakarítás |
|---|---|---|
| 50 - 245 | 752,20 Ft | - |
| 250 - 495 | 672 Ft | 10% |
| 500 + | 576,80 Ft | 23% |
*irányár
- RS raktári szám:
- 204-9872P
- Gyártó cikkszáma:
- STGF20H65DFB2
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | STMicroelectronics | |
| Terméktípus | IGBT | |
| Maximális folyamatos kollektoráram Ic | 40A | |
| Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo | 650V | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 45W | |
| Csomag típusa | TO-220FP | |
| Rögzítés típusa | Furatszerelt | |
| Csatorna típusa | N | |
| Tüskék száma | 3 | |
| Kapcsolási típus | 1MHz | |
| Min. működési hőmérséklet | -55°C | |
| Maximális kapu-emitter feszültség VGEO | 20 V | |
| Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT | 2.1V | |
| Maximális működési hőmérséklet | 175°C | |
| Magasság | 4.6mm | |
| Hossz | 10.4mm | |
| Sorozat | STG | |
| Szélesség | 16.4mm | |
| Szabványok/jóváhagyások | RoHS | |
| Járműipari szabvány | Nem | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka STMicroelectronics | ||
Terméktípus IGBT | ||
Maximális folyamatos kollektoráram Ic 40A | ||
Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo 650V | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 45W | ||
Csomag típusa TO-220FP | ||
Rögzítés típusa Furatszerelt | ||
Csatorna típusa N | ||
Tüskék száma 3 | ||
Kapcsolási típus 1MHz | ||
Min. működési hőmérséklet -55°C | ||
Maximális kapu-emitter feszültség VGEO 20 V | ||
Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT 2.1V | ||
Maximális működési hőmérséklet 175°C | ||
Magasság 4.6mm | ||
Hossz 10.4mm | ||
Sorozat STG | ||
Szélesség 16.4mm | ||
Szabványok/jóváhagyások RoHS | ||
Járműipari szabvány Nem | ||
- Származási ország (Country of Origin):
- CN
A STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 sorozat a Advanced szabadalmaztatott Trench gate Field-stop szerkezet fejlődését képviseli. A HB2 sorozat teljesítményét a vezetés szempontjából optimalizáltuk, köszönhetően a jobb VCE(SAT) viselkedésnek alacsony áramértékek mellett, valamint a csökkentett kapcsolási energia tekintetében.
Maximális csatlakozási hőmérséklet: TJ = 175 °C
Alacsony VCE(SAT) = 1.65 V (jell.) @ IC = 20 A
Nagyon gyors és lágy helyreállítás, együtt csomagolt dióda
Minimális farokáram
Szűk paraméterelosztás
Alacsony hővezetési ellenállás