STMicroelectronics STGP20H65DFB2 IGBT, 40 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220 1

Jelenleg nem elérhető
Nem tudjuk, hogy ez a tétel elérhető lesz-e még raktáron, mivel az RS hamarosan eltávolítja a kínálatunkból.
Csomagolás típusa:
RS raktári szám:
204-9876P
Gyártó cikkszáma:
STGP20H65DFB2
Gyártó:
STMicroelectronics
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

STMicroelectronics

Maximális folyamatos kollektoráram Ic

40A

Terméktípus

IGBT

Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo

650V

Tranzisztorok száma

1

Csomag típusa

TO-220

Tüskék száma

3

Maximális kapu-emitter feszültség VGEO

20 V

Származási ország (Country of Origin):
CN
Az STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 sorozat a fejlett szabadalmaztatott süllyesztett kapu mezőmegálló szerkezetének fejlődését jelenti. A HB2 sorozat teljesítménye optimalizált a vezetés szempontjából, köszönhetően a jobb VCE(sat) viselkedésnek alacsony áramértékeknél, valamint a csökkentett kapcsolási energia szempontjából.

Maximális csatlakozási hőmérséklet: TJ = 175 °C

Alacsony VCE(sat) = 1,65 V (jellemző) IC = 20 A esetén

Nagyon gyors és puha helyreállítási dióda együttes csomagolásban

Minimális farokáram

Szoros paramétereloszlás

Alacsony hőellenállás

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.