Infineon IHW50N65R5XKSA1 Fordított vezetőképességű IGBT N típus-csatornás, 80 A, 650 V, 3-tüskés Furatszerelt, TO-247

Minden IGBT-k megtekintése
Összevont kedvezmény elérhető
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintése

Részösszeg (1 csomag / 2 egység)*

2888 Ft

(ÁFA nélkül)

3668 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
Raktáron
  • 2 egység készen áll egy másik helyről a szállításra
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.

Egység
Egységenként
csomagonként*
2 - 181 444 Ft2 888 Ft
20 - 481 305 Ft2 610 Ft
50 - 981 215 Ft2 430 Ft
100 - 1981 127 Ft2 254 Ft
200 +722 Ft1 444 Ft

*irányár

Csomagolás típusa:
RS raktári szám:
215-6646
Gyártó cikkszáma:
IHW50N65R5XKSA1
Gyártó:
Infineon
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

Infineon

Terméktípus

Fordított vezetőképességű IGBT

Maximális folyamatos kollektoráram Ic

80A

Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo

650V

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

282W

Csomag típusa

TO-247

Rögzítés típusa

Furatszerelt

Csatorna típusa

N típus

Tüskék száma

3

Maximális kapu-emitter feszültség VGEO

20 V

Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT

1.35V

Min. működési hőmérséklet

-40°C

Maximális működési hőmérséklet

175°C

Sorozat

Resonant Switching

Szabványok/jóváhagyások

Pb-free lead plating, RoHS, JESD-022

Járműipari szabvány

Nem

A Infineon fordított vezető szigetelt kapus bipoláris tranzisztor monolitikus testdiódával.

Nagy hatékonyság

Alacsony kapcsolási veszteségek

Nagyobb megbízhatóság

Alacsony elektromágneses interferencia

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.