Infineon IGBT N-csatornás, 80 A, 650 V, 3-tüskés Felület, PG-TO-263

Részösszeg (1 tekercs / 1000 egység)*

436 100 Ft

(ÁFA nélkül)

553 800 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
Átmenetileg nincsen készleten
  • Szállítás 2027. február 23. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység
Egységenként
orsónként*
1000 +436,10 Ft436 100 Ft

*irányár

RS raktári szám:
226-6062
Gyártó cikkszáma:
IGB50N65S5ATMA1
Gyártó:
Infineon
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

Infineon

Maximális folyamatos kollektoráram Ic

80A

Terméktípus

IGBT

Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo

650V

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

270W

Csomag típusa

PG-TO-263

Rögzítés típusa

Felület

Csatorna típusa

N

Tüskék száma

3

Min. működési hőmérséklet

-40°C

Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT

1.7V

Maximális kapu-emitter feszültség VGEO

30 V

Maximális működési hőmérséklet

175°C

Szabványok/jóváhagyások

No

Sorozat

TrenchStop

Járműipari szabvány

Nem

A Infineon IGB50N65S 50 A IGBT anti-párhuzamos diódával, és nincs szükség kapu rögzítő elemre. Ebben a lágy áramesés jellemzők nélkül farok áram és ez kiváló párhuzamba.

Nagyon alacsony, 1.35 V-os VCEsat 25 °C-on

Maximális csatlakozási hőmérséklet Tvj 175°C

a névleges áram négyszerese

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.