STMicroelectronics STGYA50H120DF2 IGBT, 1.2 kV, 5 μs, 3-tüskés

Összevont kedvezmény elérhető
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintése

Részösszeg (1 egység)*

2198 Ft

(ÁFA nélkül)

2791 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
Raktáron
  • További 290 egység szállítása 2026. november 16. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.

Egység
Egységenként
1 - 12 198 Ft
2 +2 164 Ft

*irányár

Csomagolás típusa:
RS raktári szám:
244-3195
Gyártó cikkszáma:
STGYA50H120DF2
Gyártó:
STMicroelectronics
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

STMicroelectronics

Terméktípus

IGBT

Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo

1.2kV

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

535W

Tüskék száma

3

Kapcsolási típus

5μs

Maximális kapu-emitter feszültség VGEO

±20 V

Min. működési hőmérséklet

-55°C

Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT

2.1V

Maximális működési hőmérséklet

175°C

Sorozat

H

Szabványok/jóváhagyások

No

Járműipari szabvány

Nem

A STMicroelectronics IGBT-t Advanced saját árok kapu mező stop szerkezet segítségével fejlesztették ki. Ez az eszköz az IGBT H sorozatának része, amely optimális kompromisszumot jelent a vezetési és kapcsolási veszteségek között a magas kapcsolási frekvenciájú átalakítók hatékonyságának maximalizálása érdekében. Ráadásul a kissé pozitív VCE(SAT) hőmérsékleti együttható és a nagyon szoros paramétereloszlás biztonságosabb párhuzamos működést eredményez.

Maximális csatlakozási hőmérséklet TJ = 175 °C

5 μs-es rövidzárlati ellenállási idő

Alacsony VCE(SAT) = 2,1 V (jell.) IC = 50 A ESETÉN

Szűk paraméterelosztás

Pozitív VCE(SAT) hőmérsékleti együttható

Alacsony hővezetési ellenállás

Nagyon gyors helyreállítási antipárhuzamos dióda

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.