Infineon FP25R12W2T4BOMA1 IGBT-modul, 1200 V 7

Összevont kedvezmény elérhető
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintése

Részösszeg (1 egység)*

17 869 Ft

(ÁFA nélkül)

22 694 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
Átmenetileg nincsen készleten
  • 15 egység szállítása 2026. szeptember 17. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.

Egység
Egységenként
1 - 117 869 Ft
2 - 417 509 Ft
5 +15 758 Ft

*irányár

Csomagolás típusa:
RS raktári szám:
244-5394
Gyártó cikkszáma:
FP25R12W2T4BOMA1
Gyártó:
Infineon
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

Infineon

Terméktípus

IGBT-modul

Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo

1200V

Tranzisztorok száma

7

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

175W

Maximális kapu-emitter feszültség VGEO

20 V

Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT

2.25V

Min. működési hőmérséklet

-40°C

Maximális működési hőmérséklet

150°C

Hossz

51mm

Sorozat

FP25R12W2T4B

Magasság

12mm

Szabványok/jóváhagyások

RoHS

Járműipari szabvány

Nem

Az Infineon IGBT modul a maximális névleges ismétlődő Peak kollektor áram 50 A és a maximális kollektor-emitter szaturációs voltag 2,25 V, kapu küszöbérték feszültség 6,4 V.

Kollektor-emitter megszakítási áram 1,0 mA

Hőmérséklet kapcsolási körülmények között 150 °C

Kapu-emitter szivárgási áram 400 nA

Fordított átviteli kapacitás 0,05 NF

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.