onsemi NXH300B100H4Q2F2SG IGBT-modul, 1000 V Felület, Q2BOOST-PIM53 6

Minden IGBT-k megtekintése
Jelenleg nem elérhető
Nem tudjuk, hogy ez a tétel elérhető lesz-e még raktáron, mivel az RS hamarosan eltávolítja a kínálatunkból.
Csomagolás típusa:
RS raktári szám:
245-6971
Gyártó cikkszáma:
NXH300B100H4Q2F2SG
Gyártó:
onsemi
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

onsemi

Terméktípus

IGBT-modul

Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo

1000V

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

79W

Tranzisztorok száma

6

Csomag típusa

Q2BOOST-PIM53

Rögzítés típusa

Felület

Min. működési hőmérséklet

-40°C

Maximális kapu-emitter feszültség VGEO

20 V

Maximális működési hőmérséklet

150°C

Sorozat

NXH300B100H4Q2F2SG

Szélesség

47.3mm

Hossz

93.1mm

Magasság

17.6mm

Szabványok/jóváhagyások

RoHS

Járműipari szabvány

Nem

Az ON Semiconductor Q2BOOST modul egy nagy sűrűségű, integrált tápmodul, amely nagy teljesítményű IGBT-ket és 1200 V-os SiC diódát ötvözi.

Rendkívül hatékony Trench Field Stop technológiával

Az alacsony kapcsolási veszteség csökkenti a rendszer teljesítményveszteségét

A modul kialakítása nagy teljesítménysűrűséget biztosít

Alacsony induktív elrendezés

3 csatorna Q2BOOST csomagban

Ezek Pb-mentes eszközök

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.