onsemi NXH40B120MNQ1SNG IGBT-modul Felület, Q1BOOST 3

Minden IGBT-k megtekintése
Jelenleg nem elérhető
Nem tudjuk, hogy ez a tétel elérhető lesz-e még raktáron, mivel az RS hamarosan eltávolítja a kínálatunkból.
Csomagolás típusa:
RS raktári szám:
245-6984
Gyártó cikkszáma:
NXH40B120MNQ1SNG
Gyártó:
onsemi
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

onsemi

Terméktípus

IGBT-modul

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

156W

Tranzisztorok száma

3

Csomag típusa

Q1BOOST

Rögzítés típusa

Felület

Min. működési hőmérséklet

-40°C

Maximális működési hőmérséklet

175°C

Hossz

55.2mm

Magasság

13.9mm

Sorozat

NXH40B120MNQ1SNG

Szabványok/jóváhagyások

RoHS

Szélesség

32.8mm

Járműipari szabvány

Nem

Teljes SiC MOSFET modul | EliteSiC háromcsatornás Teljes SiC Boost, 1200 V, 40 mohm SiC MOSFET + 1200 V, 40 A SiC dióda, nikkelbevonatú DBC


A ON Semiconductor NXH40B120MNQ1SNG egy teljesítménymodul, amely három csatornás teljesítményfokozást tartalmaz. Az integrált SIC MOSFET-EK és SIC diódák kisebb vezetési veszteségeket és kapcsolási veszteségeket biztosítanak, így a tervezők nagy hatékonyságot és kiváló megbízhatóságot érhetnek el.

40 m/1200 V SIC MOSFET fél-híd

Termisztor

Opciók előre alkalmazott hőátadó anyaggal és előre alkalmazott TIM nélkül

Nyomja meg a rögzítőcsapokat

Ezek az eszközök ólommentesek, halogenidmentesek és RoHS megfelelők

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.