onsemi NXH80B120MNQ0SNG IGBT-modul Felület, Q0BOOST - 180AJ eset 2

Minden IGBT-k megtekintése
Jelenleg nem elérhető
Nem tudjuk, hogy ez a tétel elérhető lesz-e még raktáron, mivel az RS hamarosan eltávolítja a kínálatunkból.
Csomagolás típusa:
RS raktári szám:
245-6991
Gyártó cikkszáma:
NXH80B120MNQ0SNG
Gyártó:
onsemi
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

onsemi

Terméktípus

IGBT-modul

Tranzisztorok száma

2

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

69W

Csomag típusa

Q0BOOST - 180AJ eset

Rögzítés típusa

Felület

Min. működési hőmérséklet

-40°C

Maximális működési hőmérséklet

175°C

Sorozat

NXH80B120MNQ0SNG

Szabványok/jóváhagyások

RoHS

Szélesség

32.8mm

Magasság

13.9mm

Hossz

55.2mm

Járműipari szabvány

Nem

Teljes SiC MOSFET modul | EliteSiC kétcsatornás teljes SiC növelő, 1200 V, 80 mohm SiC MOSFET + 1200 V, 20 A SiC dióda, nikkelbevonatú DBC


A ON Semiconductor kettős teljesítménymodul egy teljesítménymodul, amely kettős teljesítményfokozást tartalmaz. Az integrált SIC MOSFET-EK és SIC diódák kisebb vezetési veszteségeket és kapcsolási veszteségeket biztosítanak, így a tervezők nagy hatékonyságot és kiváló megbízhatóságot érhetnek el.

1200 V-os, 80 m-es SIC MOSFET-EK

Alacsony visszacsévélés utáni helyreállítás és gyors kapcsolású SIC diódák

1600 V-os megkerülő és anti-párhuzamos diódák

Alacsony induktív elrendezés forrasztható csapok termisztor

Ezek az eszközök ólommentesek, halogénmentesek/BFR-mentesek, és RoHS-megfelelők

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.