Bourns BIDW50N65T IGBT, 100 A, 650 V, TO-247
- RS raktári szám:
- 253-3509
- Gyártó cikkszáma:
- BIDW50N65T
- Gyártó:
- Bourns
Összevont kedvezmény elérhető
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintéseRészösszeg (2 egység, 2 darabos csomagban)*
4268 Ft
(ÁFA nélkül)
5420 Ft
(ÁFÁ-val)
INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén
Raktáron
- 1098 egység készen áll egy másik helyről a szállításra
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység | Egységenként | csomagonként* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 2 134 Ft | 4 268 Ft |
| 10 - 48 | 1 918 Ft | 3 836 Ft |
| 50 - 98 | 1 809,50 Ft | 3 619 Ft |
| 100 - 248 | 1 575 Ft | 3 150 Ft |
| 250 + | 1 543 Ft | 3 086 Ft |
*irányár
- RS raktári szám:
- 253-3509
- Gyártó cikkszáma:
- BIDW50N65T
- Gyártó:
- Bourns
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | Bourns | |
| Terméktípus | IGBT | |
| Maximális folyamatos kollektoráram Ic | 100A | |
| Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo | 650V | |
| Csomag típusa | TO-247 | |
| Maximális kapu-emitter feszültség VGEO | ±20 V (Gate-Emitter Voltage VGE ) | |
| Min. működési hőmérséklet | -55°C | |
| Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT | 1.65V | |
| Maximális működési hőmérséklet | 150°C | |
| Szabványok/jóváhagyások | RoHS Compliant | |
| Járműipari szabvány | Nem | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka Bourns | ||
Terméktípus IGBT | ||
Maximális folyamatos kollektoráram Ic 100A | ||
Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo 650V | ||
Csomag típusa TO-247 | ||
Maximális kapu-emitter feszültség VGEO ±20 V (Gate-Emitter Voltage VGE ) | ||
Min. működési hőmérséklet -55°C | ||
Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT 1.65V | ||
Maximális működési hőmérséklet 150°C | ||
Szabványok/jóváhagyások RoHS Compliant | ||
Járműipari szabvány Nem | ||
A Bourns IGBT eszköz egy MOS-kapu és egy bipoláris tranzisztor technológiáját ötvözi a nagyfeszültségű és nagy áramú alkalmazásokhoz optimális alkatrészként. Ez az eszköz a Trench-Gate Field-Stop technológiát használja, amely a dinamikus jellemzők jobb vezérlését biztosítja alacsonyabb kollektor-emitter telítettségi feszültséggel (VCE(sat)) és kevesebb kapcsolási veszteséggel. Ezenkívül ez a szerkezet alacsonyabb R(th) hőellenállást biztosít.
650 V, 50 A, alacsony kollektor-emitter telítettségi feszültség (VCE(sat)) Trench-Gate Field-Stop technológia, a vezetéshez optimalizált, RoHS-kompatibilis
Kapcsolódó linkek
- Bourns IGBT 650 V, TO-247
- onsemi FGHL50T65SQDT IGBT N-csatornás 650 V TO-247
- Infineon IKZ75N65EL5XKSA1 IGBT N-csatornás 650 V TO-247
- onsemi FGHL50T65SQ IGBT N-csatornás 650 V 3-tüskés Furatszerelt, TO-247
- onsemi AEC-Q101 AFGY100T65SPD IGBT N-csatornás 650 V TO-247
- onsemi IGBT N-csatornás 650 V 3-tüskés Furatszerelt, TO-247
- Infineon IGZ100N65H5XKSA1 IGBT 650 V, TO-247
- Starpower DG50X07T2 IGBT Diszkrét N-csatornás 650 V TO-247