Infineon IGBT-modul, 50 A, 650 V, 3-tüskés, PG-TO-247
- RS raktári szám:
- 259-1532
- Gyártó cikkszáma:
- IKW50N65F5FKSA1
- Gyártó:
- Infineon
Jelenleg nem elérhető
Sajnáljuk, nem tudjuk, mikor lesz újra készleten.
- RS raktári szám:
- 259-1532
- Gyártó cikkszáma:
- IKW50N65F5FKSA1
- Gyártó:
- Infineon
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | Infineon | |
| Terméktípus | IGBT-modul | |
| Maximális folyamatos kollektoráram Ic | 50A | |
| Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo | 650V | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 305W | |
| Csomag típusa | PG-TO-247 | |
| Tüskék száma | 3 | |
| Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT | 1.6V | |
| Maximális kapu-emitter feszültség VGEO | ±20 ±30 V | |
| Min. működési hőmérséklet | -40°C | |
| Maximális működési hőmérséklet | 175°C | |
| Hossz | 41.42mm | |
| Szélesség | 16.13mm | |
| Szabványok/jóváhagyások | JEDEC, RoHS | |
| Sorozat | High Speed Fifth Generation | |
| Járműipari szabvány | Nem | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka Infineon | ||
Terméktípus IGBT-modul | ||
Maximális folyamatos kollektoráram Ic 50A | ||
Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo 650V | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 305W | ||
Csomag típusa PG-TO-247 | ||
Tüskék száma 3 | ||
Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT 1.6V | ||
Maximális kapu-emitter feszültség VGEO ±20 ±30 V | ||
Min. működési hőmérséklet -40°C | ||
Maximális működési hőmérséklet 175°C | ||
Hossz 41.42mm | ||
Szélesség 16.13mm | ||
Szabványok/jóváhagyások JEDEC, RoHS | ||
Sorozat High Speed Fifth Generation | ||
Járműipari szabvány Nem | ||
Az Infineon nagy sebességű, kemény kapcsolású IGBT a RAPID 1 gyors és puha anti-párhuzamos diódával van csomagolva TO-247 csomagolásban, és „osztályának legjobb” IGBT-jének minősül. Kategóriájának legjobb hatékonyságával rendelkezik, ami alacsonyabb csatlakozási és házhőmérsékletet eredményez, ami magasabb eszközmegbízhatóságot eredményez. A buszfeszültség 50 V-os növekedése a megbízhatóság veszélyeztetése nélkül lehetséges.
650 V áttörési feszültség
A kategóriájában a legjobb HighSpeed 3 családhoz képest
2,5-szer alacsonyabb Qg
2-es tényezővel csökkenti a kapcsolási veszteségeket
200 mV-os VCEsat-csökkentés
Gyors Si-diódás technológiával együtt csomagolva
Alacsony COES/EOSS
Enyhe pozitív hőmérsékleti együttható VCEsa
Kapcsolódó linkek
- Infineon IGBT-modul 650 V PG-TO-247
- Infineon IKW50N65F5FKSA1 IGBT-modul 650 V PG-TO-247
- Infineon IKW50N65H5FKSA1 IGBT-modul 650 V PG-TO-247
- Infineon IKW50N65RH5XKSA1 IGBT-modul 650 V PG-TO-247
- Infineon IGW50N65F5FKSA1 IGBT-modul 650 V PG-TO-247
- Infineon IGBT-modul 650 V, PG-TO-247
- Infineon IGBT-modul 650 V PG-TO-247
- Infineon IGBT-modul 650 V 3-tüskés, PG-TO-247