STMicroelectronics STGWA80H65DFBAG IGBT, 80 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247

Jelenleg nem elérhető
Nem tudjuk, hogy ez a tétel elérhető lesz-e még raktáron, mivel az RS hamarosan eltávolítja a kínálatunkból.
Csomagolás típusa:
RS raktári szám:
261-5072
Gyártó cikkszáma:
STGWA80H65DFBAG
Gyártó:
STMicroelectronics
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

STMicroelectronics

Maximális folyamatos kollektoráram Ic

80A

Terméktípus

IGBT

Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo

650V

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

535W

Csomag típusa

TO-247

Tüskék száma

3

Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT

15V

Min. működési hőmérséklet

-55°C

Maximális kapu-emitter feszültség VGEO

±20 V

Maximális működési hőmérséklet

175°C

Magasság

5mm

Hossz

15.8mm

Sorozat

STGWA

Szélesség

21mm

Szabványok/jóváhagyások

No

Járműipari szabvány

Nem

Származási ország (Country of Origin):
CN
Az STMicroelectronics IGBT-t fejlett, szabadalmaztatott süllyesztett kapu-mezőbeállító szerkezet használatával fejlesztették ki. Az eszköz az új HB sorozatú IGBT része, amely optimális kompromisszumot képvisel a vezetés és a kapcsolási veszteség között, hogy maximalizálja bármely frekvenciaváltó hatékonyságát. Ezenkívül a kissé pozitív VCE(sat) a hőmérsékleti együttható és a nagyon szűk paramétereloszlás biztonságosabb párhuzamos működést eredményez.

AEC-Q101 minősítésű

Nagy sebességű kapcsolási sorozat

Maximális csatlakozási hőmérséklet: TJ 175 °C

Minimalizált végáram

Szoros paramétereloszlás

Pozitív hőmérséklet VCE(sat) együtthatója

Puha és nagyon gyors helyreállítású antiparallel dióda

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.