Infineon BSC018NE2LSATMA1 IGBT N-csatornás, 153 A, 25 V, 8-tüskés, PG-TDSON-8 Furatszerelt 1

Minden IGBT-k megtekintése

Részösszeg (1 tekercs / 5000 egység)*

744 500 Ft

(ÁFA nélkül)

945 500 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
Átmenetileg nincsen készleten
  • Szállítás 2027. március 15. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység
Egységenként
orsónként*
5000 +148,90 Ft744 500 Ft

*irányár

RS raktári szám:
273-5233
Gyártó cikkszáma:
BSC018NE2LSATMA1
Gyártó:
Infineon
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

Infineon

Maximális folyamatos kollektoráram Ic

153A

Terméktípus

IGBT

Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo

25V

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

2.5W

Tranzisztorok száma

1

Csomag típusa

PG-TDSON-8

Rögzítés típusa

Furatszerelt

Csatorna típusa

N

Tüskék száma

8

Min. működési hőmérséklet

-55°C

Maximális kapu-emitter feszültség VGEO

20 V

Maximális működési hőmérséklet

150°C

Szélesség

6.1mm

Szabványok/jóváhagyások

IEC61249-2-21

Magasság

1.51mm

Hossz

5.1mm

Járműipari szabvány

Nem

Az Infineon MOSFET egy 25 V-os N-csatornás MOSFET. Nagy teljesítményű buck átalakítóhoz optimalizált. Ez a MOSFET a JEDEC szerint minősítve van a célalkalmazásokhoz. Ez a MOSFET halogénmentes az IEC61249 2 21 szabványnak megfelelően.

RoHS-kompatibilis

Ólommentes vezetékbevonat

Nagyon alacsony bekapcsolt állapotú ellenállás

Kiváló hőállóság

100%-osan lavinak elleni tesztelés

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.