Infineon IGBT-modul, 69 A, 1200 V, 8-tüskés, Modul Panel

Minden IGBT-k megtekintése
Összevont kedvezmény elérhető
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintése

Részösszeg (1 egység)*

12 874 Ft

(ÁFA nélkül)

16 350 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
Raktáron
  • További 16 egység szállítása 2026. szeptember 28. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.

Egység
Egységenként
1 - 412 874 Ft
5 - 912 619 Ft
10 - 9911 704 Ft
100 - 24910 725 Ft
250 +9 900 Ft

*irányár

RS raktári szám:
273-7361
Gyártó cikkszáma:
DDB6U75N16W1RBOMA1
Gyártó:
Infineon
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

Infineon

Maximális folyamatos kollektoráram Ic

69A

Terméktípus

IGBT-modul

Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo

1200V

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

335W

Csomag típusa

Modul

Rögzítés típusa

Panel

Tüskék száma

8

Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT

2.25V

Min. működési hőmérséklet

-40°C

Maximális kapu-emitter feszültség VGEO

20 V

Maximális működési hőmérséklet

150°C

Magasság

16.4mm

Szabványok/jóváhagyások

IEC61140, EN61140

Hossz

62.8mm

Járműipari szabvány

Nem

Az Infineon diódahídmodulok fékcsapágyal és NTC-vel a kompaktabb átalakító kialakításhoz. 1600 V-os ismétlődő csúcsfordított feszültséggel és 65 A-os maximális RMS előrevezető áramerősséggel rendelkezik chipenként.

Hőellenállás

Al2O3 belső szigetelés

Teljes teljesítményveszteség: 335 W

15 A folyamatos egyenáramú feszültség

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.