Gyártói szám

STMicroelectronics STGD4H60DF IGBT Egykollektoros, 4 A, 600 V, 3-tüskés, TO-252 Felület 1

RS raktári szám:: 287-7045P
Gyártó cikkszáma:: STGD4H60DF
Gyártó:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STGD4H60DF IGBT Egykollektoros, 4 A, 600 V, 3-tüskés, TO-252 Felület 1

Összevont kedvezmény elérhető

Tömeges árképzési lehetőségek megtekintése

Részösszeg 20 egység (folyamatos szalagon szállítjuk)*

5700 Ft

(ÁFA nélkül)

7240 Ft

(ÁFÁ-val)

INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén

Raktáron

További 300 egység szállítása 2026. augusztus 31. dátumtól

Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.

Egység	Egységenként
20 - 48	285 Ft
50 - 198	212 Ft
200 - 998	189,50 Ft
1000 +	167 Ft

*irányár

RS raktári szám:: 287-7045P
Gyártó cikkszáma:: STGD4H60DF
Gyártó:: STMicroelectronics

Jellemzők

Műszaki referencia

Engedélyezés és megfelelőség

Termékadatok

Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.

Az összes kiválasztása	Attribútum	Érték
	Márka	STMicroelectronics
	Terméktípus	IGBT
	Maximális folyamatos kollektoráram Ic	4A
	Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo	600V
	Tranzisztorok száma	1
	Maximális teljesítménydisszipáció Pd	75W
	Kiosztás Konfigurációs Blokk	Egykollektoros
	Csomag típusa	TO-252
	Rögzítés típusa	Felület
	Tüskék száma	3
	Min. működési hőmérséklet	-55°C
	Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT	1.7V
	Maximális kapu-emitter feszültség VGEO	20 V
	Maximális működési hőmérséklet	175°C
	Hossz	1.7mm
	Magasság	2.3mm
	Szélesség	6.7mm
	Szabványok/jóváhagyások	RoHS
	Járműipari szabvány	Nem

	Az összes kiválasztása
	Márka STMicroelectronics
	Terméktípus IGBT
	Maximális folyamatos kollektoráram Ic 4A
	Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo 600V
	Tranzisztorok száma 1
	Maximális teljesítménydisszipáció Pd 75W
	Kiosztás Konfigurációs Blokk Egykollektoros
	Csomag típusa TO-252
	Rögzítés típusa Felület
	Tüskék száma 3
	Min. működési hőmérséklet -55°C
	Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT 1.7V
	Maximális kapu-emitter feszültség VGEO 20 V
	Maximális működési hőmérséklet 175°C
	Hossz 1.7mm
	Magasság 2.3mm
	Szélesség 6.7mm
	Szabványok/jóváhagyások RoHS
	Járműipari szabvány Nem

Datasheet - STGD4H60DF

Származási ország (Country of Origin):: CN

Az STMicroelectronics Trench Gate Field Stop egy fejlett szabadalmaztatott trench gate field stop szerkezet használatával kifejlesztett IGBT. Ez az eszköz a H sorozatú IGBT-k része, amelyek optimális kompromisszumot képviselnek a vezetés és a kapcsolási veszteségek között a nagy kapcsolási frekvenciájú átalakítók hatékonyságának maximalizálása érdekében. Ezenkívül a kissé pozitív VCE(sat) hőmérsékleti együttható és a nagyon szűk paramétereloszlás biztonságosabb párhuzamos működést eredményez.

Alacsony hőellenállás

Névleges rövidzárlat

Puha és gyors helyreállítású antiparallel dióda

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.