Infineon IRG4IBC20KDPBF IGBT N-csatornás, 11.5 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220 Egyszeres

Az Infineon izolált kapu bipoláris tranzisztorai (IGBT) az árnyékolóból átfogó választási lehetőségeket kínálnak az alkalmazás védelme érdekében. A magas szintű hatékonyság-értékelés lehetővé teszi, hogy az IGBT-k e tartományát számos alkalmazásban használják, és az alacsony kapcsolási veszteségeknek köszönhetően különböző kapcsolási frekvenciákat támogathatnak.

Az IGBT-t rendkívül gyors, lágy, párhuzamos működésű diódával szerelték be, hídkonfigurációban való használatra

IGBT tranzisztorok, International Rectifier

Az International Rectifier kiterjedt IGBT (szigetelt-kapu bipoláris tranzisztor) termékpalettáját 300V és 1200 V közötti feszültségtartományban kínálja a különböző technológiák alapján, amelyek csökkentik a kapcsolási és vezetési veszteségeket a hatékonyság növelése, a hőproblémák csökkentése és az áramsűrűség javítása érdekében. A vállalat az IGBT-k széles választékát is kínálja, amelyeket kifejezetten közepes és nagy teljesítményű modulok számára terveztek. A legnagyobb megbízhatóságot igénylő modulok esetében a rugalmas elülső fémet (SFM) külön kell használni, így nincs szükség két oldalon kötött vezetékekre, és a jobb hőteljesítmény, megbízhatóság és hatékonyság érdekében kétoldalas hűtést lehet biztosítani.