Gyártói szám

STMicroelectronics STGE200NB60S IGBT N típus-csatornás, 200 A, 600 V, 4-tüskés Bilincs, ISOTOP

RS raktári szám:: 686-8348P
Gyártó cikkszáma:: STGE200NB60S
Gyártó:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STGE200NB60S IGBT N típus-csatornás, 200 A, 600 V, 4-tüskés Bilincs, ISOTOP

Összevont kedvezmény elérhető

Tömeges árképzési lehetőségek megtekintése

Részösszeg 10 egység (tubusban szállítva)*

78 950 Ft

(ÁFA nélkül)

100 270 Ft

(ÁFÁ-val)

INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén

Raktáron

576 egység készen áll egy másik helyről a szállításra

Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.

Egység	Egységenként
10 - 99	7 895 Ft
100 +	7 799 Ft

*irányár

RS raktári szám:: 686-8348P
Gyártó cikkszáma:: STGE200NB60S
Gyártó:: STMicroelectronics

Jellemzők

Műszaki referencia

Engedélyezés és megfelelőség

Termékadatok

Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.

Az összes kiválasztása	Attribútum	Érték
	Márka	STMicroelectronics
	Terméktípus	IGBT
	Maximális folyamatos kollektoráram Ic	200A
	Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo	600V
	Maximális teljesítménydisszipáció Pd	600W
	Csomag típusa	ISOTOP
	Rögzítés típusa	Bilincs
	Csatorna típusa	N típus
	Tüskék száma	4
	Min. működési hőmérséklet	-55°C
	Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT	1.6V
	Maximális kapu-emitter feszültség VGEO	±20 V
	Maximális működési hőmérséklet	150°C
	Sorozat	Powermesh
	Szabványok/jóváhagyások	ECOPACK, JESD97
	Magasság	12.2mm
	Hossz	38.2mm
	Járműipari szabvány	Nem

	Az összes kiválasztása
	Márka STMicroelectronics
	Terméktípus IGBT
	Maximális folyamatos kollektoráram Ic 200A
	Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo 600V
	Maximális teljesítménydisszipáció Pd 600W
	Csomag típusa ISOTOP
	Rögzítés típusa Bilincs
	Csatorna típusa N típus
	Tüskék száma 4
	Min. működési hőmérséklet -55°C
	Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT 1.6V
	Maximális kapu-emitter feszültség VGEO ±20 V
	Maximális működési hőmérséklet 150°C
	Sorozat Powermesh
	Szabványok/jóváhagyások ECOPACK, JESD97
	Magasság 12.2mm
	Hossz 38.2mm
	Járműipari szabvány Nem

Származási ország (Country of Origin):: CN

IGBT diszkrét, STMicroelectronics

IGBT diszkrét és modulok, STMicroelectronics

A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.