STMicroelectronics STGE200NB60S IGBT N-csatornás, 200 A, 600 V, 4-tüskés Bilincs, ISOTOP
- RS raktári szám:
- 686-8348P
- Gyártó cikkszáma:
- STGE200NB60S
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Vásároljon nagy mennyiségben kedvezménnyel
További 100 hozzáadása 1% megtakarításához
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintéseRészösszeg 10 egység (tubusban szállítva)*
78 950 Ft
(ÁFA nélkül)
100 270 Ft
(ÁFÁ-val)
INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén
Raktáron
- További 568 egység szállítása 2026. november 16. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység | Egységenként | Megtakarítás |
|---|---|---|
| 10 - 99 | 7 895 Ft | - |
| 100 + | 7 799 Ft | 1% |
*irányár
- RS raktári szám:
- 686-8348P
- Gyártó cikkszáma:
- STGE200NB60S
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | STMicroelectronics | |
| Maximális folyamatos kollektoráram Ic | 200A | |
| Terméktípus | IGBT | |
| Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo | 600V | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 600W | |
| Csomag típusa | ISOTOP | |
| Rögzítés típusa | Bilincs | |
| Csatorna típusa | N | |
| Tüskék száma | 4 | |
| Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT | 1.6V | |
| Maximális kapu-emitter feszültség VGEO | ±20 V | |
| Min. működési hőmérséklet | -55°C | |
| Maximális működési hőmérséklet | 150°C | |
| Szélesség | 31.7mm | |
| Hossz | 38.2mm | |
| Magasság | 12.2mm | |
| Sorozat | Powermesh | |
| Szabványok/jóváhagyások | ECOPACK, JESD97 | |
| Járműipari szabvány | Nem | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka STMicroelectronics | ||
Maximális folyamatos kollektoráram Ic 200A | ||
Terméktípus IGBT | ||
Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo 600V | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 600W | ||
Csomag típusa ISOTOP | ||
Rögzítés típusa Bilincs | ||
Csatorna típusa N | ||
Tüskék száma 4 | ||
Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT 1.6V | ||
Maximális kapu-emitter feszültség VGEO ±20 V | ||
Min. működési hőmérséklet -55°C | ||
Maximális működési hőmérséklet 150°C | ||
Szélesség 31.7mm | ||
Hossz 38.2mm | ||
Magasság 12.2mm | ||
Sorozat Powermesh | ||
Szabványok/jóváhagyások ECOPACK, JESD97 | ||
Járműipari szabvány Nem | ||
- Származási ország (Country of Origin):
- CN
IGBT diszkrét, STMicroelectronics
IGBT diszkrét és modulok, STMicroelectronics
A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.