STMicroelectronics STGF7NB60SL IGBT N-csatornás, 7 A, 600 V, 1 MHz, 3-tüskés Furatszerelt, TO-220FP
- RS raktári szám:
- 686-8360P
- Gyártó cikkszáma:
- STGF7NB60SL
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Összevont kedvezmény elérhető
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintéseRészösszeg 20 egység (tubusban szállítva)*
12 900 Ft
(ÁFA nélkül)
16 380 Ft
(ÁFÁ-val)
INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén
Raktáron
- További 252 egység szállítása 2026. november 16. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység | Egységenként |
|---|---|
| 20 - 98 | 645 Ft |
| 100 - 198 | 576 Ft |
| 200 + | 495 Ft |
*irányár
- RS raktári szám:
- 686-8360P
- Gyártó cikkszáma:
- STGF7NB60SL
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | STMicroelectronics | |
| Maximális folyamatos kollektoráram Ic | 7A | |
| Terméktípus | IGBT | |
| Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo | 600V | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 25W | |
| Csomag típusa | TO-220FP | |
| Rögzítés típusa | Furatszerelt | |
| Csatorna típusa | N | |
| Tüskék száma | 3 | |
| Kapcsolási típus | 1MHz | |
| Min. működési hőmérséklet | -55°C | |
| Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT | 1.6V | |
| Maximális kapu-emitter feszültség VGEO | 20 V | |
| Maximális működési hőmérséklet | 150°C | |
| Magasság | 16.4mm | |
| Sorozat | Powermesh | |
| Szabványok/jóváhagyások | RoHS | |
| Hossz | 10.4mm | |
| Szélesség | 4.6mm | |
| Járműipari szabvány | Nem | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka STMicroelectronics | ||
Maximális folyamatos kollektoráram Ic 7A | ||
Terméktípus IGBT | ||
Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo 600V | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 25W | ||
Csomag típusa TO-220FP | ||
Rögzítés típusa Furatszerelt | ||
Csatorna típusa N | ||
Tüskék száma 3 | ||
Kapcsolási típus 1MHz | ||
Min. működési hőmérséklet -55°C | ||
Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT 1.6V | ||
Maximális kapu-emitter feszültség VGEO 20 V | ||
Maximális működési hőmérséklet 150°C | ||
Magasság 16.4mm | ||
Sorozat Powermesh | ||
Szabványok/jóváhagyások RoHS | ||
Hossz 10.4mm | ||
Szélesség 4.6mm | ||
Járműipari szabvány Nem | ||
IGBT diszkrét, STMicroelectronics
IGBT diszkrét és modulok, STMicroelectronics
A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.