STMicroelectronics IGBT N típus-csatornás, 20 A, 600 V, 1 MHz, 3-tüskés Furatszerelt, TO-220

Összevont kedvezmény elérhető

Részösszeg (1 csomag / 5 egység)*

3463 Ft

(ÁFA nélkül)

4398 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
Raktáron
  • 90 egység készen áll egy másik helyről a szállításra
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.

Egység
Egységenként
csomagonként*
5 - 20692,60 Ft3 463 Ft
25 - 45658,40 Ft3 292 Ft
50 - 120635 Ft3 175 Ft
125 - 245620,80 Ft3 104 Ft
250 +604,60 Ft3 023 Ft

*irányár

Csomagolás típusa:
RS raktári szám:
686-8376
Gyártó cikkszáma:
STGP10NC60KD
Gyártó:
STMicroelectronics
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

STMicroelectronics

Maximális folyamatos kollektoráram Ic

20A

Terméktípus

IGBT

Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo

600V

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

25W

Csomag típusa

TO-220

Rögzítés típusa

Furatszerelt

Csatorna típusa

N típus

Tüskék száma

3

Kapcsolási típus

1MHz

Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT

2.5V

Maximális kapu-emitter feszültség VGEO

20 V

Min. működési hőmérséklet

-55°C

Maximális működési hőmérséklet

150°C

Magasság

9.15mm

Hossz

10.4mm

Szabványok/jóváhagyások

No

Járműipari szabvány

Nem

IGBT diszkrét, STMicroelectronics


IGBT diszkrét és modulok, STMicroelectronics


A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Kapcsolódó linkek