STMicroelectronics IGBT N-csatornás, 9 A, 600 V, 1 MHz, 3-tüskés Furatszerelt, TO-220

Minden IGBT-k megtekintése
Összevont kedvezmény elérhető
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintése

Részösszeg (1 csomag / 10 egység)*

3221 Ft

(ÁFA nélkül)

4091 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
A készletinformáció jelenleg nem elérhető - Kérjük, látogasson vissza később

Egység
Egységenként
csomagonként*
10 - 90322,10 Ft3 221 Ft
100 - 490288,90 Ft2 889 Ft
500 - 990285,40 Ft2 854 Ft
1000 - 1990281,90 Ft2 819 Ft
2000 +278,60 Ft2 786 Ft

*irányár

RS raktári szám:
795-7142
Gyártó cikkszáma:
STGF10NC60KD
Gyártó:
STMicroelectronics
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

STMicroelectronics

Maximális folyamatos kollektoráram Ic

9A

Terméktípus

IGBT

Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo

600V

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

25W

Csomag típusa

TO-220

Rögzítés típusa

Furatszerelt

Csatorna típusa

N

Tüskék száma

3

Kapcsolási típus

1MHz

Min. működési hőmérséklet

-55°C

Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT

2.5V

Maximális kapu-emitter feszültség VGEO

20 V

Maximális működési hőmérséklet

150°C

Sorozat

Low Drop

Szélesség

4.6mm

Szabványok/jóváhagyások

No

Magasság

16.4mm

Hossz

10.4mm

Járműipari szabvány

Nem

IGBT diszkrét, STMicroelectronics


IGBT diszkrét és modulok, STMicroelectronics


A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Kapcsolódó linkek