STMicroelectronics IGBT N-csatornás, 60 A, 600 V, 1 MHz, 3-tüskés Furatszerelt, TO-247
- RS raktári szám:
- 791-7630P
- Gyártó cikkszáma:
- STGW30V60DF
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Összevont kedvezmény elérhető
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintéseRészösszeg 50 egység (tubusban szállítva)*
59 110 Ft
(ÁFA nélkül)
75 070 Ft
(ÁFÁ-val)
INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén
Átmenetileg nincsen készleten
- Szállítás 2027. február 01. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység | Egységenként |
|---|---|
| 50 - 120 | 1 182,20 Ft |
| 125 + | 984,80 Ft |
*irányár
- RS raktári szám:
- 791-7630P
- Gyártó cikkszáma:
- STGW30V60DF
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | STMicroelectronics | |
| Terméktípus | IGBT | |
| Maximális folyamatos kollektoráram Ic | 60A | |
| Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo | 600V | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 258W | |
| Csomag típusa | TO-247 | |
| Rögzítés típusa | Furatszerelt | |
| Csatorna típusa | N | |
| Tüskék száma | 3 | |
| Kapcsolási típus | 1MHz | |
| Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT | 2.3V | |
| Maximális kapu-emitter feszültség VGEO | ±20 V | |
| Min. működési hőmérséklet | -55°C | |
| Maximális működési hőmérséklet | 175°C | |
| Szélesség | 5.15mm | |
| Sorozat | V | |
| Magasság | 20.15mm | |
| Hossz | 15.75mm | |
| Szabványok/jóváhagyások | RoHS | |
| Járműipari szabvány | Nem | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka STMicroelectronics | ||
Terméktípus IGBT | ||
Maximális folyamatos kollektoráram Ic 60A | ||
Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo 600V | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 258W | ||
Csomag típusa TO-247 | ||
Rögzítés típusa Furatszerelt | ||
Csatorna típusa N | ||
Tüskék száma 3 | ||
Kapcsolási típus 1MHz | ||
Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT 2.3V | ||
Maximális kapu-emitter feszültség VGEO ±20 V | ||
Min. működési hőmérséklet -55°C | ||
Maximális működési hőmérséklet 175°C | ||
Szélesség 5.15mm | ||
Sorozat V | ||
Magasság 20.15mm | ||
Hossz 15.75mm | ||
Szabványok/jóváhagyások RoHS | ||
Járműipari szabvány Nem | ||
IGBT diszkrét, STMicroelectronics
IGBT diszkrét és modulok, STMicroelectronics
A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.