Gyártói szám

STMicroelectronics IGBT N típus-csatornás, 80 A, 600 V, 1 MHz, 3-tüskés Furatszerelt, TO-247

RS raktári szám:: 791-7637P
Gyártó cikkszáma:: STGW40V60DF
Gyártó:: STMicroelectronics

STMicroelectronics IGBT N típus-csatornás, 80 A, 600 V, 1 MHz, 3-tüskés Furatszerelt, TO-247

Összevont kedvezmény elérhető

Tömeges árképzési lehetőségek megtekintése

Részösszeg 50 egység (tubusban szállítva)*

63 950 Ft

(ÁFA nélkül)

81 200 Ft

(ÁFÁ-val)

INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén

Átmenetileg nincsen készleten

Szállítás 2026. december 21. dátumtól

Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.

Egység	Egységenként
50 - 120	1 279 Ft
125 +	1 065,60 Ft

*irányár

RS raktári szám:: 791-7637P
Gyártó cikkszáma:: STGW40V60DF
Gyártó:: STMicroelectronics

Jellemzők

Műszaki referencia

Engedélyezés és megfelelőség

Termékadatok

Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.

Az összes kiválasztása	Attribútum	Érték
	Márka	STMicroelectronics
	Maximális folyamatos kollektoráram Ic	80A
	Terméktípus	IGBT
	Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo	600V
	Maximális teljesítménydisszipáció Pd	283W
	Csomag típusa	TO-247
	Rögzítés típusa	Furatszerelt
	Csatorna típusa	N típus
	Tüskék száma	3
	Kapcsolási típus	1MHz
	Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT	2.3V
	Maximális kapu-emitter feszültség VGEO	±20 V
	Min. működési hőmérséklet	-55°C
	Maximális működési hőmérséklet	175°C
	Hossz	15.75mm
	Magasság	20.15mm
	Sorozat	V
	Szabványok/jóváhagyások	Lead free package
	Járműipari szabvány	Nem

	Az összes kiválasztása
	Márka STMicroelectronics
	Maximális folyamatos kollektoráram Ic 80A
	Terméktípus IGBT
	Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo 600V
	Maximális teljesítménydisszipáció Pd 283W
	Csomag típusa TO-247
	Rögzítés típusa Furatszerelt
	Csatorna típusa N típus
	Tüskék száma 3
	Kapcsolási típus 1MHz
	Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT 2.3V
	Maximális kapu-emitter feszültség VGEO ±20 V
	Min. működési hőmérséklet -55°C
	Maximális működési hőmérséklet 175°C
	Hossz 15.75mm
	Magasság 20.15mm
	Sorozat V
	Szabványok/jóváhagyások Lead free package
	Járműipari szabvány Nem

IGBT diszkrét, STMicroelectronics

IGBT diszkrét és modulok, STMicroelectronics

A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.