STMicroelectronics STGF20H60DF IGBT N típus-csatornás, 40 A, 600 V, 1 MHz, 3-tüskés Furatszerelt, TO-220

Minden IGBT-k megtekintése
Jelenleg nem elérhető
Sajnáljuk, nem tudjuk, mikor lesz újra készleten.
Csomagolás típusa:
RS raktári szám:
791-9349
Gyártó cikkszáma:
STGF20H60DF
Gyártó:
STMicroelectronics
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

STMicroelectronics

Maximális folyamatos kollektoráram Ic

40A

Terméktípus

IGBT

Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo

600V

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

167W

Csomag típusa

TO-220

Rögzítés típusa

Furatszerelt

Csatorna típusa

N típus

Tüskék száma

3

Kapcsolási típus

1MHz

Maximális kapu-emitter feszültség VGEO

20 V

Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT

2V

Min. működési hőmérséklet

-55°C

Maximális működési hőmérséklet

175°C

Magasság

16.4mm

Sorozat

Trench Gate Field Stop

Szélesség

4.6mm

Szabványok/jóváhagyások

No

Hossz

10.4mm

Járműipari szabvány

Nem

IGBT diszkrét, STMicroelectronics


IGBT diszkrét és modulok, STMicroelectronics


A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.