STMicroelectronics IGBT N típus-csatornás, 80 A, 650 V, 3-tüskés Furatszerelt, TO-247

Minden IGBT-k megtekintése
Összevont kedvezmény elérhető
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintése

Részösszeg 20 egység (tubusban szállítva)*

21 430 Ft

(ÁFA nélkül)

27 216 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
Raktáron
  • 34 egység készen áll egy másik helyről a szállításra
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.

Egység
Egységenként
20 - 981 071,50 Ft
100 - 1981 046 Ft
200 +979 Ft

*irányár

Csomagolás típusa:
RS raktári szám:
792-5795P
Gyártó cikkszáma:
STGW40H65DFB
Gyártó:
STMicroelectronics
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

STMicroelectronics

Terméktípus

IGBT

Maximális folyamatos kollektoráram Ic

80A

Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo

650V

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

283W

Csomag típusa

TO-247

Rögzítés típusa

Furatszerelt

Csatorna típusa

N típus

Tüskék száma

3

Min. működési hőmérséklet

-55°C

Maximális kapu-emitter feszültség VGEO

±20 V

Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT

2.3V

Maximális működési hőmérséklet

175°C

Sorozat

H

Magasság

20.15mm

Szabványok/jóváhagyások

Lead (Pb) Free package, ECOPACK

Járműipari szabvány

Nem

IGBT diszkrét, STMicroelectronics


IGBT diszkrét és modulok, STMicroelectronics


A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.