STMicroelectronics IGBT N-csatornás, 80 A, 650 V, 3-tüskés Furatszerelt, TO-247
- RS raktári szám:
- 792-5802P
- Gyártó cikkszáma:
- STGW60H65DFB
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Vásároljon nagy mennyiségben kedvezménnyel
További 100 hozzáadása 1% megtakarításához
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintéseRészösszeg 10 egység (tubusban szállítva)*
10 060 Ft
(ÁFA nélkül)
12 780 Ft
(ÁFÁ-val)
INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén
Átmenetileg nincsen készleten
- Szállítás 2027. március 22. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység | Egységenként | Megtakarítás |
|---|---|---|
| 10 - 99 | 1 006 Ft | - |
| 100 - 599 | 994 Ft | 1% |
| 600 - 1199 | 982 Ft | 2% |
| 1200 + | 970 Ft | 3% |
*irányár
- RS raktári szám:
- 792-5802P
- Gyártó cikkszáma:
- STGW60H65DFB
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | STMicroelectronics | |
| Maximális folyamatos kollektoráram Ic | 80A | |
| Terméktípus | IGBT | |
| Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo | 650V | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 375W | |
| Csomag típusa | TO-247 | |
| Rögzítés típusa | Furatszerelt | |
| Csatorna típusa | N | |
| Tüskék száma | 3 | |
| Maximális kapu-emitter feszültség VGEO | ±20 V | |
| Min. működési hőmérséklet | -55°C | |
| Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT | 2.3V | |
| Maximális működési hőmérséklet | 175°C | |
| Magasság | 20.15mm | |
| Sorozat | H | |
| Szabványok/jóváhagyások | RoHS | |
| Járműipari szabvány | Nem | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka STMicroelectronics | ||
Maximális folyamatos kollektoráram Ic 80A | ||
Terméktípus IGBT | ||
Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo 650V | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 375W | ||
Csomag típusa TO-247 | ||
Rögzítés típusa Furatszerelt | ||
Csatorna típusa N | ||
Tüskék száma 3 | ||
Maximális kapu-emitter feszültség VGEO ±20 V | ||
Min. működési hőmérséklet -55°C | ||
Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT 2.3V | ||
Maximális működési hőmérséklet 175°C | ||
Magasság 20.15mm | ||
Sorozat H | ||
Szabványok/jóváhagyások RoHS | ||
Járműipari szabvány Nem | ||
IGBT diszkrét, STMicroelectronics
IGBT diszkrét és modulok, STMicroelectronics
A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.