STMicroelectronics IGBT N-csatornás, 20 A, 600 V, 1 MHz, 3-tüskés Felület, TO-263
- RS raktári szám:
- 795-7041P
- Gyártó cikkszáma:
- STGB10NC60HDT4
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Vásároljon nagy mennyiségben kedvezménnyel
További 250 hozzáadása 23% megtakarításához
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintéseRészösszeg 50 egység (folyamatos szalagon szállítjuk)*
32 420 Ft
(ÁFA nélkül)
41 175 Ft
(ÁFÁ-val)
INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén
Utolsó RS készlet
- Utolsó 210 egység, szállításra készen áll egy másik helyről a szállításra
Egység | Egységenként | Megtakarítás |
|---|---|---|
| 50 - 245 | 648,40 Ft | - |
| 250 - 495 | 493,80 Ft | 23% |
| 500 + | 438,20 Ft | 32% |
*irányár
- RS raktári szám:
- 795-7041P
- Gyártó cikkszáma:
- STGB10NC60HDT4
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | STMicroelectronics | |
| Terméktípus | IGBT | |
| Maximális folyamatos kollektoráram Ic | 20A | |
| Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo | 600V | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 65W | |
| Csomag típusa | TO-263 | |
| Rögzítés típusa | Felület | |
| Csatorna típusa | N | |
| Tüskék száma | 3 | |
| Kapcsolási típus | 1MHz | |
| Min. működési hőmérséklet | -55°C | |
| Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT | 2.5V | |
| Maximális kapu-emitter feszültség VGEO | ±20 V | |
| Maximális működési hőmérséklet | 150°C | |
| Hossz | 10.4mm | |
| Szabványok/jóváhagyások | RoHS | |
| Szélesség | 9.35mm | |
| Magasság | 4.6mm | |
| Járműipari szabvány | Nem | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka STMicroelectronics | ||
Terméktípus IGBT | ||
Maximális folyamatos kollektoráram Ic 20A | ||
Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo 600V | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 65W | ||
Csomag típusa TO-263 | ||
Rögzítés típusa Felület | ||
Csatorna típusa N | ||
Tüskék száma 3 | ||
Kapcsolási típus 1MHz | ||
Min. működési hőmérséklet -55°C | ||
Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT 2.5V | ||
Maximális kapu-emitter feszültség VGEO ±20 V | ||
Maximális működési hőmérséklet 150°C | ||
Hossz 10.4mm | ||
Szabványok/jóváhagyások RoHS | ||
Szélesség 9.35mm | ||
Magasság 4.6mm | ||
Járműipari szabvány Nem | ||
IGBT diszkrét, STMicroelectronics
IGBT diszkrét és modulok, STMicroelectronics
A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.