Gyártói szám

STMicroelectronics IGBT N típus-csatornás, 20 A, 600 V, 1 MHz, 3-tüskés Felület, TO-263

RS raktári szám:: 795-8975P
Gyártó cikkszáma:: STGB10NC60KDT4
Gyártó:: STMicroelectronics

STMicroelectronics IGBT N típus-csatornás, 20 A, 600 V, 1 MHz, 3-tüskés Felület, TO-263

Összevont kedvezmény elérhető

Tömeges árképzési lehetőségek megtekintése

Részösszeg 50 egység (folyamatos szalagon szállítjuk)*

28 080 Ft

(ÁFA nélkül)

35 660 Ft

(ÁFÁ-val)

INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén

Raktáron

További 2070 egység szállítása 2026. augusztus 07. dátumtól

Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.

Egység	Egységenként
50 - 245	561,60 Ft
250 - 495	427,80 Ft
500 +	379,60 Ft

*irányár

RS raktári szám:: 795-8975P
Gyártó cikkszáma:: STGB10NC60KDT4
Gyártó:: STMicroelectronics

Jellemzők

Műszaki referencia

Engedélyezés és megfelelőség

Termékadatok

Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.

Az összes kiválasztása	Attribútum	Érték
	Márka	STMicroelectronics
	Terméktípus	IGBT
	Maximális folyamatos kollektoráram Ic	20A
	Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo	600V
	Maximális teljesítménydisszipáció Pd	65W
	Csomag típusa	TO-263
	Rögzítés típusa	Felület
	Csatorna típusa	N típus
	Tüskék száma	3
	Kapcsolási típus	1MHz
	Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT	2.5V
	Min. működési hőmérséklet	-55°C
	Maximális kapu-emitter feszültség VGEO	±20 V
	Maximális működési hőmérséklet	150°C
	Hossz	10.4mm
	Magasság	4.6mm
	Szabványok/jóváhagyások	RoHS
	Sorozat	STGx10NC60KD
	Járműipari szabvány	Nem

	Az összes kiválasztása
	Márka STMicroelectronics
	Terméktípus IGBT
	Maximális folyamatos kollektoráram Ic 20A
	Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo 600V
	Maximális teljesítménydisszipáció Pd 65W
	Csomag típusa TO-263
	Rögzítés típusa Felület
	Csatorna típusa N típus
	Tüskék száma 3
	Kapcsolási típus 1MHz
	Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT 2.5V
	Min. működési hőmérséklet -55°C
	Maximális kapu-emitter feszültség VGEO ±20 V
	Maximális működési hőmérséklet 150°C
	Hossz 10.4mm
	Magasság 4.6mm
	Szabványok/jóváhagyások RoHS
	Sorozat STGx10NC60KD
	Járműipari szabvány Nem

IGBT diszkrét, STMicroelectronics

IGBT diszkrét és modulok, STMicroelectronics

A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.