Gyártói szám

STMicroelectronics IGBT N típus-csatornás, 6 A, 1200 V, 1 MHz, 3-tüskés Furatszerelt, TO-220

RS raktári szám:: 795-9094P
Gyártó cikkszáma:: STGF3NC120HD
Gyártó:: STMicroelectronics

STMicroelectronics IGBT N típus-csatornás, 6 A, 1200 V, 1 MHz, 3-tüskés Furatszerelt, TO-220

Összevont kedvezmény elérhető

Tömeges árképzési lehetőségek megtekintése

Részösszeg 50 egység (tubusban szállítva)*

26 810 Ft

(ÁFA nélkül)

34 050 Ft

(ÁFÁ-val)

INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén

Raktáron

További 1315 egység szállítása 2026. augusztus 31. dátumtól

Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.

Egység	Egységenként
50 - 245	536,20 Ft
250 - 495	408,40 Ft
500 +	362,40 Ft

*irányár

RS raktári szám:: 795-9094P
Gyártó cikkszáma:: STGF3NC120HD
Gyártó:: STMicroelectronics

Jellemzők

Műszaki referencia

Engedélyezés és megfelelőség

Termékadatok

Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.

Az összes kiválasztása	Attribútum	Érték
	Márka	STMicroelectronics
	Terméktípus	IGBT
	Maximális folyamatos kollektoráram Ic	6A
	Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo	1200V
	Maximális teljesítménydisszipáció Pd	25W
	Csomag típusa	TO-220
	Rögzítés típusa	Furatszerelt
	Csatorna típusa	N típus
	Tüskék száma	3
	Kapcsolási típus	1MHz
	Min. működési hőmérséklet	-55°C
	Maximális kapu-emitter feszültség VGEO	20 V
	Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT	2.8V
	Maximális működési hőmérséklet	150°C
	Szélesség	4.6mm
	Szabványok/jóváhagyások	No
	Magasság	16.4mm
	Hossz	10.4mm
	Járműipari szabvány	Nem

	Az összes kiválasztása
	Márka STMicroelectronics
	Terméktípus IGBT
	Maximális folyamatos kollektoráram Ic 6A
	Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo 1200V
	Maximális teljesítménydisszipáció Pd 25W
	Csomag típusa TO-220
	Rögzítés típusa Furatszerelt
	Csatorna típusa N típus
	Tüskék száma 3
	Kapcsolási típus 1MHz
	Min. működési hőmérséklet -55°C
	Maximális kapu-emitter feszültség VGEO 20 V
	Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT 2.8V
	Maximális működési hőmérséklet 150°C
	Szélesség 4.6mm
	Szabványok/jóváhagyások No
	Magasság 16.4mm
	Hossz 10.4mm
	Járműipari szabvány Nem

IGBT diszkrét, STMicroelectronics

IGBT diszkrét és modulok, STMicroelectronics

A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.