Gyártói szám

STMicroelectronics IGBT N típus-csatornás, 30 A, 1200 V, 1 MHz, 3-tüskés Furatszerelt, TO-247

RS raktári szám:: 795-9136P
Gyártó cikkszáma:: STGW30NC120HD
Gyártó:: STMicroelectronics

STMicroelectronics IGBT N típus-csatornás, 30 A, 1200 V, 1 MHz, 3-tüskés Furatszerelt, TO-247

Összevont kedvezmény elérhető

Tömeges árképzési lehetőségek megtekintése

Részösszeg 20 egység (tubusban szállítva)*

29 520 Ft

(ÁFA nélkül)

37 500 Ft

(ÁFÁ-val)

INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén

Raktáron

További 46 egység szállítása 2026. augusztus 10. dátumtól

Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.

Egység	Egységenként
20 - 98	1 476 Ft
100 - 198	1 124 Ft
200 +	997 Ft

*irányár

RS raktári szám:: 795-9136P
Gyártó cikkszáma:: STGW30NC120HD
Gyártó:: STMicroelectronics

Jellemzők

Műszaki referencia

Engedélyezés és megfelelőség

Termékadatok

Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.

Az összes kiválasztása	Attribútum	Érték
	Márka	STMicroelectronics
	Maximális folyamatos kollektoráram Ic	30A
	Terméktípus	IGBT
	Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo	1200V
	Maximális teljesítménydisszipáció Pd	220W
	Csomag típusa	TO-247
	Rögzítés típusa	Furatszerelt
	Csatorna típusa	N típus
	Tüskék száma	3
	Kapcsolási típus	1MHz
	Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT	2.75V
	Maximális kapu-emitter feszültség VGEO	±25 V
	Min. működési hőmérséklet	-55°C
	Maximális működési hőmérséklet	150°C
	Hossz	14.8mm
	Magasság	20.15mm
	Szabványok/jóváhagyások	ECOPACK, JEDEC JESD97
	Járműipari szabvány	Nem

	Az összes kiválasztása
	Márka STMicroelectronics
	Maximális folyamatos kollektoráram Ic 30A
	Terméktípus IGBT
	Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo 1200V
	Maximális teljesítménydisszipáció Pd 220W
	Csomag típusa TO-247
	Rögzítés típusa Furatszerelt
	Csatorna típusa N típus
	Tüskék száma 3
	Kapcsolási típus 1MHz
	Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT 2.75V
	Maximális kapu-emitter feszültség VGEO ±25 V
	Min. működési hőmérséklet -55°C
	Maximális működési hőmérséklet 150°C
	Hossz 14.8mm
	Magasság 20.15mm
	Szabványok/jóváhagyások ECOPACK, JEDEC JESD97
	Járműipari szabvány Nem

IGBT diszkrét, STMicroelectronics

IGBT diszkrét és modulok, STMicroelectronics

A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.