onsemi AEC-Q100 FGD3440G2_F085 IGBT N-csatornás, 26,9 A, 300 V, 1MHz, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres

Ezek az EcoSPARK IGBT-eszközök az autóipar gyújtótekercseinek táplálására vannak optimalizálva. A tesztelés során ellenőrizték, és megfeleltek az AEC-Q101 szabványnak.

• Logic szintű kamraajtó meghajtó
• ESD-védelem
• Alkalmazások: Járművek gyújtóberendezéseinek köre, Coil-on-Plug alkalmazások

864-802 FGB3040CS 400 V 20A D2PAK

A megadott névleges áramerősség akkor érvényes, ha a csatlakozási hőmérséklet Tc = +110°C.

AEC-Q101

IGBT diszkrét és modulok, Fairchild Semiconductor

A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.