Gyártói szám

onsemi AEC-Q100 FGD3440G2_F085 IGBT N-csatornás, 26,9 A, 300 V, 1MHz, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres

A készletinformáció jelenleg nem elérhető

Jellemzők

Műszaki referencia

Engedélyezés és megfelelőség

Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.

Az összes kiválasztása	Attribútum	Érték
	Márka	ON Semiconductor
	Maximális folyamatos kollektoráram	26,9 A
	Maximális kollektor kibocsátó feszültség	300 V
	Maximális kapu kibocsátó feszültség	±10V
	Maximális teljesítménydisszipáció	166 W
	Csomag típusa	DPAK (TO-252)
	Rögzítés típusa	Felületre szerelhető
	Csatorna típusa	N
	Tüskék száma	3
	Kapcsolási sebesség	1MHz
	Tranzisztorkonfiguráció	Egyszeres
	Méret	6.73 x 6.22 x 2.39mm
	Min. működési hőmérséklet	-40 °C
	Járműipari szabvány	AEC-Q100
	Maximális működési hőmérséklet	+175 °C

	Az összes kiválasztása
	Márka ON Semiconductor
	Maximális folyamatos kollektoráram 26,9 A
	Maximális kollektor kibocsátó feszültség 300 V
	Maximális kapu kibocsátó feszültség ±10V
	Maximális teljesítménydisszipáció 166 W
	Csomag típusa DPAK (TO-252)
	Rögzítés típusa Felületre szerelhető
	Csatorna típusa N
	Tüskék száma 3
	Kapcsolási sebesség 1MHz
	Tranzisztorkonfiguráció Egyszeres
	Méret 6.73 x 6.22 x 2.39mm
	Min. működési hőmérséklet -40 °C
	Járműipari szabvány AEC-Q100
	Maximális működési hőmérséklet +175 °C

Kapcsolódó linkek

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.