IXYS IXA27IF1200HJ IGBT N-csatornás, 43 A, 1200 V, 3-tüskés, ISOPLUS247 Egyszeres
- RS raktári szám:
- 808-0212
- Gyártó cikkszáma:
- IXA27IF1200HJ
- Gyártó:
- IXYS
A készletinformáció jelenleg nem elérhető
- RS raktári szám:
- 808-0212
- Gyártó cikkszáma:
- IXA27IF1200HJ
- Gyártó:
- IXYS
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | IXYS | |
| Maximális folyamatos kollektoráram | 43 A | |
| Maximális kollektor kibocsátó feszültség | 1200 V | |
| Maximális kapu kibocsátó feszültség | ±20V | |
| Maximális teljesítménydisszipáció | 150 W | |
| Csomag típusa | ISOPLUS247 | |
| Rögzítés típusa | Furatszerelt | |
| Csatorna típusa | N | |
| Tüskék száma | 3 | |
| Tranzisztorkonfiguráció | Egyszeres | |
| Méret | 16.13 x 5.21 x 21.34mm | |
| Min. működési hőmérséklet | -40 °C | |
| Maximális működési hőmérséklet | +125 °C | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka IXYS | ||
Maximális folyamatos kollektoráram 43 A | ||
Maximális kollektor kibocsátó feszültség 1200 V | ||
Maximális kapu kibocsátó feszültség ±20V | ||
Maximális teljesítménydisszipáció 150 W | ||
Csomag típusa ISOPLUS247 | ||
Rögzítés típusa Furatszerelt | ||
Csatorna típusa N | ||
Tüskék száma 3 | ||
Tranzisztorkonfiguráció Egyszeres | ||
Méret 16.13 x 5.21 x 21.34mm | ||
Min. működési hőmérséklet -40 °C | ||
Maximális működési hőmérséklet +125 °C | ||
IGBT diszkrét, IXYS XPT sorozat
Az IXYS-től származó különálló IGBT-k XPT™ választéka Extreme Light Pandch-Through vékony szelettechnológiát alkalmaz, amely csökkentett hőellenállást és alacsonyabb energiaveszteséget eredményez. Ezek az eszközök rövid átkapcsolási időt biztosítanak alacsony zárlati árammal, és számos ipari szabvány és egyedi csomagban kaphatók.
Nagy teljesítménysűrűség és alacsony VCE (sat)
Négyzetes eltérés Biztonságos Működési Területek (RBSOA) a névleges működési feszültségig
10usec készülék rövidzárlati teljesítménye
Pozitív bekapcsolási feszültség hőmérsékleti együttható
Opcionális tartozékként csomagolatlan Sonic-FRD™ vagy HiPerFRED™ diódák
Nemzetközi szabványos és gyártóspecifikus nagyfeszültségű csomagok
IGBT diszkrét és modulok, IXYS
A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.
Kapcsolódó linkek
- IXYS IXA27IF1200HJ IGBT N típus-csatornás ISOPLUS247
- IXYS IXYP20N120C3 IGBT N-csatornás 1200 V 3-tüskés, TO-220 Egyszeres
- IXYS IXA20I1200PB IGBT N-csatornás 1200 V TO-220 Egyszeres
- onsemi FGA30N120FTDTU IGBT N-csatornás 1200 V TO-3PN Egyszeres
- STMicroelectronics STGW25S120DF3 IGBT N-csatornás 1200 V TO-247 Egyszeres
- onsemi FGH15T120SMD-F155 IGBT N-csatornás 1200 V TO-247 Egyszeres
- Fuji Electric FGW40N120VD IGBT N-csatornás 1200 V TO-247 Egyszeres
- onsemi NGTB30N120LWG IGBT N-csatornás 1200 V TO-247 1 Egyszeres