Fairchild Semiconductor AEC-Q101 IGBT N-csatornás, 46 A, 390 V, 3-tüskés Felület, TO-263
- RS raktári szám:
- 862-9362P
- Gyártó cikkszáma:
- ISL9V5036S3ST
- Gyártó:
- Fairchild Semiconductor
Összevont kedvezmény elérhető
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintéseRészösszeg 10 egység (folyamatos szalagon szállítjuk)*
13 456 Ft
(ÁFA nélkül)
17 089 Ft
(ÁFÁ-val)
INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén
Raktáron
- További 795 egység szállítása 2026. szeptember 14. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység | Egységenként |
|---|---|
| 10 - 95 | 1 345,60 Ft |
| 100 - 245 | 1 076,20 Ft |
| 250 - 495 | 1 014,80 Ft |
| 500 + | 958,60 Ft |
*irányár
- RS raktári szám:
- 862-9362P
- Gyártó cikkszáma:
- ISL9V5036S3ST
- Gyártó:
- Fairchild Semiconductor
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | Fairchild Semiconductor | |
| Terméktípus | IGBT | |
| Maximális folyamatos kollektoráram Ic | 46A | |
| Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo | 390V | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 250W | |
| Csomag típusa | TO-263 | |
| Rögzítés típusa | Felület | |
| Csatorna típusa | N | |
| Tüskék száma | 3 | |
| Maximális kapu-emitter feszültség VGEO | ±10 V | |
| Min. működési hőmérséklet | -40°C | |
| Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT | 1.6V | |
| Maximális működési hőmérséklet | 175°C | |
| Szabványok/jóváhagyások | RoHS Compliant | |
| Sorozat | EcoSPARK | |
| Energiabesorolás | 500mJ | |
| Járműipari szabvány | AEC-Q101 | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka Fairchild Semiconductor | ||
Terméktípus IGBT | ||
Maximális folyamatos kollektoráram Ic 46A | ||
Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo 390V | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 250W | ||
Csomag típusa TO-263 | ||
Rögzítés típusa Felület | ||
Csatorna típusa N | ||
Tüskék száma 3 | ||
Maximális kapu-emitter feszültség VGEO ±10 V | ||
Min. működési hőmérséklet -40°C | ||
Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT 1.6V | ||
Maximális működési hőmérséklet 175°C | ||
Szabványok/jóváhagyások RoHS Compliant | ||
Sorozat EcoSPARK | ||
Energiabesorolás 500mJ | ||
Járműipari szabvány AEC-Q101 | ||
Diszkrét IGBT-k Fairchild Semiconductor
IGBT diszkrét és modulok, Fairchild Semiconductor
A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.