STMicroelectronics IGBT N-csatornás, 29 A, 600 V, 3.8 μs, 3-tüskés Furatszerelt, TO-220FP
- RS raktári szám:
- 877-2873P
- Gyártó cikkszáma:
- STGF10NB60SD
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Vásároljon nagy mennyiségben kedvezménnyel
További 500 hozzáadása 2% megtakarításához
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintéseRészösszeg 100 egység (tubusban szállítva)*
39 170 Ft
(ÁFA nélkül)
49 750 Ft
(ÁFÁ-val)
INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén
Raktáron
- További 50 egység szállítása 2026. november 16. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység | Egységenként | Megtakarítás |
|---|---|---|
| 100 - 490 | 391,70 Ft | - |
| 500 - 990 | 380,50 Ft | 2% |
| 1000 - 4990 | 375,90 Ft | 4% |
| 5000 + | 371,40 Ft | 5% |
*irányár
- RS raktári szám:
- 877-2873P
- Gyártó cikkszáma:
- STGF10NB60SD
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | STMicroelectronics | |
| Maximális folyamatos kollektoráram Ic | 29A | |
| Terméktípus | IGBT | |
| Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo | 600V | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 80W | |
| Csomag típusa | TO-220FP | |
| Rögzítés típusa | Furatszerelt | |
| Csatorna típusa | N | |
| Tüskék száma | 3 | |
| Kapcsolási típus | 3.8μs | |
| Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT | 1.75V | |
| Maximális kapu-emitter feszültség VGEO | ±20 V | |
| Min. működési hőmérséklet | -55°C | |
| Maximális működési hőmérséklet | 150°C | |
| Szabványok/jóváhagyások | RoHS | |
| Szélesség | 4.6mm | |
| Sorozat | Low Drop | |
| Hossz | 30.6mm | |
| Magasság | 10.4mm | |
| Járműipari szabvány | Nem | |
| Energiabesorolás | 8mJ | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka STMicroelectronics | ||
Maximális folyamatos kollektoráram Ic 29A | ||
Terméktípus IGBT | ||
Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo 600V | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 80W | ||
Csomag típusa TO-220FP | ||
Rögzítés típusa Furatszerelt | ||
Csatorna típusa N | ||
Tüskék száma 3 | ||
Kapcsolási típus 3.8μs | ||
Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT 1.75V | ||
Maximális kapu-emitter feszültség VGEO ±20 V | ||
Min. működési hőmérséklet -55°C | ||
Maximális működési hőmérséklet 150°C | ||
Szabványok/jóváhagyások RoHS | ||
Szélesség 4.6mm | ||
Sorozat Low Drop | ||
Hossz 30.6mm | ||
Magasság 10.4mm | ||
Járműipari szabvány Nem | ||
Energiabesorolás 8mJ | ||
- Származási ország (Country of Origin):
- CN
IGBT diszkrét, STMicroelectronics
IGBT diszkrét és modulok, STMicroelectronics
A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.