STMicroelectronics STGW30NC60KD IGBT N-csatornás, 60 A, 600 V, 29 ns, 3-tüskés Furatszerelt, TO-247
- RS raktári szám:
- 877-2905P
- Gyártó cikkszáma:
- STGW30NC60KD
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Vásároljon nagy mennyiségben kedvezménnyel
További 125 hozzáadása 67 800 Ft megtakarításához
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintéseRészösszeg 50 egység (tubusban szállítva)*
125 650 Ft
(ÁFA nélkül)
159 600 Ft
(ÁFÁ-val)
A készletinformáció jelenleg nem elérhető - Kérjük, látogasson vissza később
Egység | Egységenként | Megtakarítás |
|---|---|---|
| 50 - 120 | 2 513 Ft | - |
| 125 + | 1 970,60 Ft | 67 800 Ft |
*irányár
- RS raktári szám:
- 877-2905P
- Gyártó cikkszáma:
- STGW30NC60KD
- Gyártó:
- STMicroelectronics
Jellemzők
Műszaki referencia
Engedélyezés és megfelelőség
Termékadatok
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása | Attribútum | Érték |
|---|---|---|
| Márka | STMicroelectronics | |
| Maximális folyamatos kollektoráram Ic | 60A | |
| Terméktípus | IGBT | |
| Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo | 600V | |
| Maximális teljesítménydisszipáció Pd | 200W | |
| Csomag típusa | TO-247 | |
| Rögzítés típusa | Furatszerelt | |
| Csatorna típusa | N | |
| Tüskék száma | 3 | |
| Kapcsolási típus | 29ns | |
| Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT | 2.7V | |
| Min. működési hőmérséklet | -55°C | |
| Maximális kapu-emitter feszültség VGEO | ±20 V | |
| Maximális működési hőmérséklet | 150°C | |
| Sorozat | Rugged | |
| Szabványok/jóváhagyások | JEDEC Standard JESD97 | |
| Magasság | 20.15mm | |
| Járműipari szabvány | Nem | |
| Energiabesorolás | 1435mJ | |
| Az összes kiválasztása | ||
|---|---|---|
Márka STMicroelectronics | ||
Maximális folyamatos kollektoráram Ic 60A | ||
Terméktípus IGBT | ||
Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo 600V | ||
Maximális teljesítménydisszipáció Pd 200W | ||
Csomag típusa TO-247 | ||
Rögzítés típusa Furatszerelt | ||
Csatorna típusa N | ||
Tüskék száma 3 | ||
Kapcsolási típus 29ns | ||
Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT 2.7V | ||
Min. működési hőmérséklet -55°C | ||
Maximális kapu-emitter feszültség VGEO ±20 V | ||
Maximális működési hőmérséklet 150°C | ||
Sorozat Rugged | ||
Szabványok/jóváhagyások JEDEC Standard JESD97 | ||
Magasság 20.15mm | ||
Járműipari szabvány Nem | ||
Energiabesorolás 1435mJ | ||
- Származási ország (Country of Origin):
- CN
IGBT diszkrét, STMicroelectronics
IGBT diszkrét és modulok, STMicroelectronics
A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.