Transcend MTE662P-I Belső SSD M.2 512 Gb Ipari minőség TLC 85 °C -40 °C

RS raktári szám:: 240-5550
Gyártó cikkszáma:: TS512GMTE662P-I
Gyártó:: Transcend

Transcend MTE662P-I Belső SSD M.2 512 Gb Ipari minőség TLC 85 °C -40 °C

Részösszeg (1 egység)*

507 038 Ft

(ÁFA nélkül)

643 938 Ft

(ÁFÁ-val)

INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén

Átmenetileg nincsen készleten

Szállítás 2026. október 27. dátumtól

Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.

Egység	Egységenként
1 +	507 038 Ft

*irányár

RS raktári szám:: 240-5550
Gyártó cikkszáma:: TS512GMTE662P-I
Gyártó:: Transcend

Jellemzők

Műszaki referencia

Engedélyezés és megfelelőség

Termékadatok

Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.

Az összes kiválasztása	Attribútum	Érték
	Márka	Transcend
	Modellszám	MTE662P-I
	Terméktípus	SSD
	Memória mérete	512Gb
	Altípus	SSD
	Belső/külső	Belső
	Alaktényező	M.2
	Ipari minőség	Igen
	NAND típusa	TLC
	Interfész típusa	PCIe Gen 3.0 x4 NVMe
	Min. működési hőmérséklet	-40°C
	Maximális működési hőmérséklet	85°C
	Hossz	80mm
	Magasság	3.88mm
	Szabványok/jóváhagyások	CE
	Szélesség	22mm

	Az összes kiválasztása
	Márka Transcend
	Modellszám MTE662P-I
	Terméktípus SSD
	Memória mérete 512Gb
	Altípus SSD
	Belső/külső Belső
	Alaktényező M.2
	Ipari minőség Igen
	NAND típusa TLC
	Interfész típusa PCIe Gen 3.0 x4 NVMe
	Min. működési hőmérséklet -40°C
	Maximális működési hőmérséklet 85°C
	Hossz 80mm
	Magasság 3.88mm
	Szabványok/jóváhagyások CE
	Szélesség 22mm

Datasheet - TS512GMTE662P-I

Származási ország (Country of Origin):: TW

Transcend szilárdtest-meghajtó, 512 GB kapacitás, NVMe PCIe Gen 3 x 4 interfész - TS512GMTE662P-I

Ez a szilárdtest-meghajtó 512 GB-os kapacitással és M.2 belső alaktényezővel rendelkező, fejlett teljesítményt kínál. Az NVMe PCIe Gen 3 x4 interfésszel felszerelve kivételes adatátviteli sebességet ér el, így ideális ipari és mindennapi alkalmazásokhoz egyaránt. A 80mm x 22mm x 3,88mm-es kompakt méretek különböző eszközöknek adnak helyet, így biztosítva a sokoldalú felhasználást.

Jellemzők és előnyök

• Akár 3400 MB/s olvasási sebességet biztosít a gyors adatelérés érdekében

• 3D TLC NAND technológiát alkalmaz a fokozott tárolási hatékonyság érdekében

• Szélsőséges hőmérsékletekre tervezték -40°C és 85°C közötti tartományban

• Az integrált intelligens energiapajzs biztosítja az adatok integritását

• DDR4 DRAM gyorsítótárat tartalmaz a gyorsabb adatfeldolgozás érdekében

• Ellenáll a kopásnak 3K P/E ciklust elérő magas állóképességgel

Alkalmazások

• Nagy teljesítményű számítástechnika az ipari automatizálásban

• Alkalmas elektronikai tervezési és fejlesztési feladatokra

• Ideális az adatintenzív villamosmérnöki munkákhoz

• Megbízható adattárolást igénylő mechanikus rendszerekben használatos

Milyen előnyei vannak az ebben az SSD-ben használt 3D NAND technológiának?

A 3D NAND technológia lehetővé teszi a tárolócellák nagyobb egymásra helyezését, ami javítja a sűrűséget és a hatékonyságot. Ez gyorsabb olvasási és írási sebességet eredményez, így alkalmas olyan igényes alkalmazásokhoz, ahol a teljesítmény kritikus.

Hogyan befolyásolja a hőmérséklet-tűrés a különböző környezetekben való használatot?

A széles hőmérsékleti tartomány biztosítja, hogy szélsőséges hidegben és melegben is megbízhatóan működjön. Ezáltal ideális olyan környezetben, mint például kültéri berendezések vagy ingadozó hőmérsékletű környezetek, fenntartva a funkcionalitást és az adatok integritását.

Milyen hatása van az intelligens tápegységnek az áramkimaradások során?

Az intelligens tápellátási pajzs megvédi az adatokat a hirtelen áramkimaradás során azáltal, hogy rövid ideig fenntartja az áramellátást, lehetővé téve a biztonságos leállítást és megakadályozva az adatok sérülését a kritikus műveletek során.

Hogyan javítja a teljesítményt a beágyazott DRAM gyorsítótár?

A beágyazott DDR4 DRAM gyorsítótár növeli az olvasási és írási sebességet azáltal, hogy ideiglenesen tárolja a gyakran használt adatokat, ami gyorsabb válaszidőt és összességében jobb rendszerteljesítményt eredményez az intenzív feladatok során.