Renesas Electronics SRAM memória 71V416S12PHGI 4 MB, 256k x 16, 44-tüskés

A Renesas Electronics aszinkron statikus RAM központi pwr és gnd pinout 4,194,304 bites nagy sebességű statikus RAM 256K x 16-ban szervezett. Nagy teljesítményű, nagy megbízhatóságú CMOS technológiával készül. Ez a korszerű technológia az innovatív áramköri tervezési technikákkal kombinálva költséghatékony megoldást nyújt a nagy sebességű memória igényeihez. Kimenet-engedélyező érintkezővel rendelkezik, amely akár 5 ns-ig is működik, és akár 10 ns-ig is elérheti a címet. 44 érintkezős, 400 mil műanyag SOJ és 44 érintkezős, 400 mil TSOP II típusú csomagolásban és 48 golyós rácsos tömbben, 9 mm x 9 mm csomagolásban van csomagolva.

256 K x 16 fejlett, nagy sebességű CMOS statikus RAM JEDEC központi tápellátás / GND csatlakozó a zajcsökkentés érdekében. Egy chip kiválasztása és egy kimenet engedélyezése érintkezők Kétirányú adatbemenet és -kimenet közvetlenül LVTTL-kompatibilis alacsony energiafogyasztás a chip kiválasztásának eltávolításával Felső és alsó bájtos engedélyező érintkezők Egy 3,3 V-os tápegység 44 érintkezős, 400 mil műanyag SOJ csomagolásban és 44 érintkezős, 400 mil TSOP II típusú csomagolásban és 48 golyós rácsos tömbben, 9 mm x 9 mm csomagolásban kapható. Zöld alkatrészek állnak rendelkezésre, lásd a megrendelés adatait