STMicroelectronics ESD védő tömb Kétirányú 1, 300 kW, QFN, 6-tüskés

Jelenleg nem elérhető
Nem tudjuk, hogy ez a tétel elérhető lesz-e még raktáron, mivel az RS hamarosan eltávolítja a kínálatunkból.
Csomagolás típusa:
RS raktári szám:
209-7617P
Gyártó cikkszáma:
HSP031-1BM6
Gyártó:
STMicroelectronics
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

STMicroelectronics

Irány típusa

Kétirányú

Terméktípus

ESD védő tömb

Diódák konfigurációja

Tömb

Minimális áttörési feszültség Vbr

3.3V

Rögzítés típusa

Felület

Csomag típusa

QFN

Tüskék száma

6

Csúcsimpulzusteljesítmény disszipáció ppm

300kW

Maximális csúcsimpulzusáram Ippm

10A

ESD Védelem

Igen

Befogó feszültség VC

7V

Min. működési hőmérséklet

-55°C

Maximális működési hőmérséklet

150°C

Elemek száma chipenként

1

Szabványok/jóváhagyások

No

Hossz

1.65mm

Szélesség

1.05mm

Magasság

550μm

Járműipari szabvány

Nem

Maximális záró irányú szivárgási áram

50nA

A STMicroelectronics HSP031-1BM6 egycsatornás ESD-tömb, amely sín-sín architektúrával rendelkezik, és 2 differenciális vonalat véd az ESD, túlfeszültség (8/20 μs) által okozott túlfeszültség okozta túlfeszültség ellen. QFN-6L, Az eszközt kifejezetten a nagy sebességű, differenciális vonalak, például az Ethernet 10 Gbps védelmére tervezték.

Az IEC 61000-4-2 4. Szintjét meghaladó magas ESD-védelmi szint:

±30 kV (érintkező kisülés)

±30 kV (légkisülés)

Magas IEC 61000-4-5 túlfeszültségszint: 10 A

Nagyon alacsony dinamikus ellenállás: 0.25 ohm

Alacsony kapacitás: 0.7 PF

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.