IXYS IXGT30N120B3D1 IGBT N-csatornás, 50 A, 1200 V, 160 ns, 3-tüskés Furatszerelt, TO-268

Részösszeg (1 egység)*

7148 Ft

(ÁFA nélkül)

9078 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
Raktáron
  • 288 egység készen áll egy másik helyről a szállításra
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység
Egységenként
1 +7 148 Ft

*irányár

RS raktári szám:
192-635
Distrelec cikkszám:
302-53-420
Gyártó cikkszáma:
IXGT30N120B3D1
Gyártó:
IXYS
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

IXYS

Terméktípus

IGBT

Maximális folyamatos kollektoráram Ic

50A

Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo

1200V

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

300W

Csomag típusa

TO-268

Rögzítés típusa

Furatszerelt

Csatorna típusa

N

Tüskék száma

3

Kapcsolási típus

160ns

Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT

3.5V

Maximális kapu-emitter feszültség VGEO

20 V

Min. működési hőmérséklet

-55°C

Maximális működési hőmérséklet

150°C

Sorozat

Mid-Frequency

Szabványok/jóváhagyások

RoHS

Járműipari szabvány

Nem

IGBT diszkrét, IXYS


IGBT diszkrét és modulok, IXYS


A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.