IXYS MII100-12A3 IGBT-modul N típus-csatornás, 135 A, 1200 V, 30 kHz, 7-tüskés Felület, Y4-M5

Minden IGBT-k megtekintése

Részösszeg (1 egység)*

28 620 Ft

(ÁFA nélkül)

36 347 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
Átmenetileg nincsen készleten
  • Szállítás 2027. február 15. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység
Egységenként
1 +28 620 Ft

*irányár

RS raktári szám:
193-874
Gyártó cikkszáma:
MII100-12A3
Gyártó:
IXYS
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

IXYS

Maximális folyamatos kollektoráram Ic

135A

Terméktípus

IGBT-modul

Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo

1200V

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

560W

Csomag típusa

Y4-M5

Rögzítés típusa

Felület

Csatorna típusa

N típus

Tüskék száma

7

Kapcsolási típus

30kHz

Min. működési hőmérséklet

-40°C

Maximális kapu-emitter feszültség VGEO

20 V

Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT

2.7V

Maximális működési hőmérséklet

150°C

Hossz

94mm

Sorozat

NPT

Szabványok/jóváhagyások

No

Magasság

30mm

Járműipari szabvány

Nem

IGBT modulok IXYS


IGBT diszkrét és modulok, IXYS


A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.