IXYS MII75-12A3 IGBT-modul N típus-csatornás, 90 A, 1200 V, 30 kHz, 7-tüskés Felület, Y4-M5

Összevont kedvezmény elérhető
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintése

Részösszeg (1 egység)*

24 540 Ft

(ÁFA nélkül)

31 166 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
Átmenetileg nincsen készleten
  • Szállítás 2027. augusztus 09. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.

Egység
Egységenként
1 - 424 540 Ft
5 - 923 018 Ft
10 - 2422 429 Ft
25 +21 863 Ft

*irányár

RS raktári szám:
193-880
Gyártó cikkszáma:
MII75-12A3
Gyártó:
IXYS
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

IXYS

Maximális folyamatos kollektoráram Ic

90A

Terméktípus

IGBT-modul

Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo

1200V

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

370W

Csomag típusa

Y4-M5

Rögzítés típusa

Felület

Csatorna típusa

N típus

Tüskék száma

7

Kapcsolási típus

30kHz

Maximális kapu-emitter feszültség VGEO

20 V

Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT

2.7V

Min. működési hőmérséklet

-40°C

Maximális működési hőmérséklet

150°C

Sorozat

NPT

Szabványok/jóváhagyások

No

Magasság

30mm

Hossz

94mm

Járműipari szabvány

Nem

IGBT modulok IXYS


IGBT diszkrét és modulok, IXYS


A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.