Semikron Danfoss SEMiX303GB12E4p IGBT-modul N-csatornás, 469 A, 1200 V, 11-tüskés Felület, SEMiX3p

Részösszeg (1 egység)*

79 444 Ft

(ÁFA nélkül)

100 894 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
Átmenetileg nincsen készleten
  • Szállítás 2027. február 05. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység
Egységenként
1 +79 444 Ft

*irányár

RS raktári szám:
122-0391
Gyártó cikkszáma:
SEMiX303GB12E4p
Gyártó:
Semikron Danfoss
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

Semikron Danfoss

Maximális folyamatos kollektoráram Ic

469A

Terméktípus

IGBT-modul

Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo

1200V

Csomag típusa

SEMiX3p

Rögzítés típusa

Felület

Csatorna típusa

N

Tüskék száma

11

Maximális kapu-emitter feszültség VGEO

20 V

Min. működési hőmérséklet

-40°C

Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT

2.4V

Maximális működési hőmérséklet

175°C

Magasság

17mm

Szélesség

62.4mm

Szabványok/jóváhagyások

No

Hossz

150mm

Sorozat

Trench

Járműipari szabvány

Nem

SEMiX® két IGBT modul


Két IGBT modul Semikron-ból, modern, alacsony profilú, SEMiX® csomagolásban, félhíd szintű tápvezérlés céljára. A modulok forrasztómentes rugót vagy benyomható csatlakozót használnak, hogy lehetővé tegyék a közvetlenül a TOP egységre szerelt kapus meghajtó használatát, így helyet takarítva meg a csatlakozást, és nagyobb megbízhatóságot nyújtva. Jellemző felhasználási területek: Váltakozó áramú inverter meghajtók, UPS, Elektronikus Hegesztés és Megújuló energiaellátó rendszerek.

A megfelelő nyomógombos meghajtómodulokhoz lásd 122-0385 to 122-0387

• Alacsony profilú, forrasztásmentes szerelőcsomag

• Trentchate technológia IGBs-khez

• VCE(sat) pozitív hőmérsékleti együtthatójú

• Nagy rövidzárlati áram lehetőség

• Tartócsapszegek kiegészítő érintkezőként

• UL felismerése

IGBT modulok Semikron


A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.