Semikron SEMiX603GB12E4p IGBT-modul N-csatornás, 1,1 kA, 1200 V, 11-tüskés, SEMiX®3p Sorba kötött

Két IGBT modul Semikron-ból, modern, alacsony profilú, SEMiX® csomagolásban, félhíd szintű tápvezérlés céljára. A modulok forrasztómentes rugót vagy benyomható csatlakozót használnak, hogy lehetővé tegyék a közvetlenül a TOP egységre szerelt kapus meghajtó használatát, így helyet takarítva meg a csatlakozást, és nagyobb megbízhatóságot nyújtva. Jellemző felhasználási területek: Váltakozó áramú inverter meghajtók, UPS, Elektronikus Hegesztés és Megújuló energiaellátó rendszerek.
A megfelelő nyomógombos meghajtómodulokhoz lásd 122-0385 to 122-0387

• Alacsony profilú, forrasztásmentes szerelőcsomag
• Trentchate technológia IGBs-khez
• VCE(sat) pozitív hőmérsékleti együtthatójú
• Nagy rövidzárlati áram lehetőség
• Tartócsapszegek kiegészítő érintkezőként
• UL felismerése

IGBT modulok Semikron

A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.