Semikron Danfoss SEMiX603GB12E4p IGBT-modul N-csatornás, 1.1 kA, 1200 V, 11-tüskés Felület, SEMiX3p

RS raktári szám:: 122-0393
Gyártó cikkszáma:: SEMiX603GB12E4p
Gyártó:: Semikron Danfoss

Semikron Danfoss SEMiX603GB12E4p IGBT-modul N-csatornás, 1.1 kA, 1200 V, 11-tüskés Felület, SEMiX3p

Összevont kedvezmény elérhető

Tömeges árképzési lehetőségek megtekintése

Részösszeg (1 egység)*

163 286 Ft

(ÁFA nélkül)

207 373 Ft

(ÁFÁ-val)

INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén

Átmenetileg nincsen készleten

6 egység szállítása 2026. december 23. dátumtól

Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.

Egység	Egységenként
1 - 1	163 286 Ft
2 +	160 020 Ft

*irányár

RS raktári szám:: 122-0393
Gyártó cikkszáma:: SEMiX603GB12E4p
Gyártó:: Semikron Danfoss

Jellemzők

Műszaki referencia

Engedélyezés és megfelelőség

Termékadatok

Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.

Az összes kiválasztása	Attribútum	Érték
	Márka	Semikron Danfoss
	Terméktípus	IGBT-modul
	Maximális folyamatos kollektoráram Ic	1.1kA
	Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo	1200V
	Csomag típusa	SEMiX3p
	Rögzítés típusa	Felület
	Csatorna típusa	N
	Tüskék száma	11
	Min. működési hőmérséklet	-40°C
	Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT	2.4V
	Maximális kapu-emitter feszültség VGEO	20 V
	Maximális működési hőmérséklet	175°C
	Szabványok/jóváhagyások	No
	Hossz	150mm
	Sorozat	Trench
	Szélesség	62.4mm
	Magasság	17mm
	Járműipari szabvány	Nem

	Az összes kiválasztása
	Márka Semikron Danfoss
	Terméktípus IGBT-modul
	Maximális folyamatos kollektoráram Ic 1.1kA
	Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo 1200V
	Csomag típusa SEMiX3p
	Rögzítés típusa Felület
	Csatorna típusa N
	Tüskék száma 11
	Min. működési hőmérséklet -40°C
	Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT 2.4V
	Maximális kapu-emitter feszültség VGEO 20 V
	Maximális működési hőmérséklet 175°C
	Szabványok/jóváhagyások No
	Hossz 150mm
	Sorozat Trench
	Szélesség 62.4mm
	Magasság 17mm
	Járműipari szabvány Nem

SEMiX® két IGBT modul

Két IGBT modul Semikron-ból, modern, alacsony profilú, SEMiX® csomagolásban, félhíd szintű tápvezérlés céljára. A modulok forrasztómentes rugót vagy benyomható csatlakozót használnak, hogy lehetővé tegyék a közvetlenül a TOP egységre szerelt kapus meghajtó használatát, így helyet takarítva meg a csatlakozást, és nagyobb megbízhatóságot nyújtva. Jellemző felhasználási területek: Váltakozó áramú inverter meghajtók, UPS, Elektronikus Hegesztés és Megújuló energiaellátó rendszerek.

A megfelelő nyomógombos meghajtómodulokhoz lásd 122-0385 to 122-0387

• Alacsony profilú, forrasztásmentes szerelőcsomag

• Trentchate technológia IGBs-khez

• VCE(sat) pozitív hőmérsékleti együtthatójú

• Nagy rövidzárlati áram lehetőség

• Tartócsapszegek kiegészítő érintkezőként

• UL felismerése

IGBT modulok Semikron

A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Semikron Danfoss SEMiX603GB12E4p IGBT-modul N-csatornás, 1.1 kA, 1200 V, 11-tüskés Felület, SEMiX3p

INGYENES kiszállítás 19 500 Ft feletti megrendelés esetén

SEMiX® két IGBT modul

IGBT modulok Semikron

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!