Infineon Teljesítményfélvezető N-csatornás, 75 A, 600 V, 3-tüskés Furatszerelt, TO-247

Összevont kedvezmény elérhető
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintése

Részösszeg (1 cső / 30 egység)*

38 205 Ft

(ÁFA nélkül)

48 519 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
Utolsó RS készlet
  • Utolsó 150 egység, szállításra készen áll egy másik helyről a szállításra

Egység
Egységenként
csövenként*
30 - 301 273,50 Ft38 205 Ft
60 - 1201 209,90 Ft36 297 Ft
150 +1 158,80 Ft34 764 Ft

*irányár

RS raktári szám:
165-6737
Gyártó cikkszáma:
IGW75N60TFKSA1
Gyártó:
Infineon
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

Infineon

Terméktípus

Teljesítményfélvezető

Maximális folyamatos kollektoráram Ic

75A

Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo

600V

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

428W

Csomag típusa

TO-247

Rögzítés típusa

Furatszerelt

Csatorna típusa

N

Tüskék száma

3

Maximális kapu-emitter feszültség VGEO

±20 V

Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT

2V

Min. működési hőmérséklet

-40°C

Maximális működési hőmérséklet

175°C

Szabványok/jóváhagyások

JEDEC J-STD-020 and JESD-022, RoHS

Sorozat

TrenchStop

Járműipari szabvány

Nem

Infineon TrenchStop IGBT tranzisztorok, 600 és 650V


Az IGBT tranzisztorok széles választéka az Infineon-től 600-as és 650V-os kollektorfeszültségszintekkel, TrenchStop™ technológiával. A termékskála beépített nagy sebességű, gyors helyreállást csökkentő párhuzamos diódával rendelkező eszközöket tartalmaz.

• A Kollektor feszültsége 600 és 650 V között van

Igen alacsony VCéni

• Gyenge a kikapcsolódási veszteség

• Rövid hátsó áramerősség

• Alacsony EMI

• maximális csatlakozási hőmérséklet 175 °C

IGBT diszkrét és Infineon


A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.