Infineon Teljesítményfélvezető N-csatornás, 30 A, 1200 V, 3-tüskés Furatszerelt, TO-247

Összevont kedvezmény elérhető
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintése

Részösszeg (1 cső / 30 egység)*

38 475 Ft

(ÁFA nélkül)

48 864 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
Átmenetileg nincsen készleten
  • Szállítás 2027. november 15. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.

Egység
Egységenként
csövenként*
30 - 301 282,50 Ft38 475 Ft
60 - 1201 218,50 Ft36 555 Ft
150 - 2701 167,10 Ft35 013 Ft
300 - 5701 115,90 Ft33 477 Ft
600 +1 038,90 Ft31 167 Ft

*irányár

RS raktári szám:
165-8138
Gyártó cikkszáma:
IGW15T120FKSA1
Gyártó:
Infineon
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

Infineon

Terméktípus

Teljesítményfélvezető

Maximális folyamatos kollektoráram Ic

30A

Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo

1200V

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

110W

Csomag típusa

TO-247

Rögzítés típusa

Furatszerelt

Csatorna típusa

N

Tüskék száma

3

Maximális kapu-emitter feszültség VGEO

±20 V

Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT

2.2V

Min. működési hőmérséklet

-40°C

Maximális működési hőmérséklet

150°C

Sorozat

TrenchStop

Szabványok/jóváhagyások

JEDEC1, Pb-free lead plating, RoHS

Járműipari szabvány

Nem

Energiabesorolás

4.1mJ

Származási ország (Country of Origin):
MY

Az Infineon TranchStop IGBT tranzisztorok, 1100 és 1600 V között


Az IGBT tranzisztorok széles választéka az Infineon-től 1100 és 1600 V közötti feszültségszintű kollektorral TranchStop™ technológiával. A termékskála beépített nagy sebességű, gyors helyreállást csökkentő párhuzamos diódával rendelkező eszközöket tartalmaz.

• A Kollektor feszültségtartománya 1100 és 1600 V között

Igen alacsony VCéni

• Gyenge a kikapcsolódási veszteség

• Rövid hátsó áramerősség

• Alacsony EMI

• maximális csatlakozási hőmérséklet 175 °C

IGBT diszkrét és Infineon


A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.