Infineon IGW15N120H3FKSA1 IGBT N-csatornás, 30 A, 1200 V, 3-tüskés Furatszerelt, TO-247

Összevont kedvezmény elérhető
Tömeges árképzési lehetőségek megtekintése

Részösszeg (1 csomag / 4 egység)*

5760 Ft

(ÁFA nélkül)

7316 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
Átmenetileg nincsen készleten
  • Szállítás 2027. május 31. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.

Egység
Egységenként
csomagonként*
4 - 161 440 Ft5 760 Ft
20 - 361 368,80 Ft5 475 Ft
40 - 961 310,80 Ft5 243 Ft
100 - 1961 252,50 Ft5 010 Ft
200 +1 165,30 Ft4 661 Ft

*irányár

Csomagolás típusa:
RS raktári szám:
110-7153
Gyártó cikkszáma:
IGW15N120H3FKSA1
Gyártó:
Infineon
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

Infineon

Maximális folyamatos kollektoráram Ic

30A

Terméktípus

IGBT

Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo

1200V

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

217W

Csomag típusa

TO-247

Rögzítés típusa

Furatszerelt

Csatorna típusa

N

Tüskék száma

3

Min. működési hőmérséklet

-40°C

Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT

2.05V

Maximális kapu-emitter feszültség VGEO

±20 V

Maximális működési hőmérséklet

175°C

Szabványok/jóváhagyások

Pb-Free, RoHS, JEDEC

Sorozat

TrenchStop

Járműipari szabvány

Nem

Energiabesorolás

2.5mJ

Az Infineon TranchStop IGBT tranzisztorok, 1100 és 1600 V között


Az IGBT tranzisztorok széles választéka az Infineon-től 1100 és 1600 V közötti feszültségszintű kollektorral TranchStop™ technológiával. A termékskála beépített nagy sebességű, gyors helyreállást csökkentő párhuzamos diódával rendelkező eszközöket tartalmaz.

• A Kollektor feszültségtartománya 1100 és 1600 V között

Igen alacsony VCéni

• Gyenge a kikapcsolódási veszteség

• Rövid hátsó áramerősség

• Alacsony EMI

• maximális csatlakozási hőmérséklet 175 °C

IGBT diszkrét és Infineon


A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Kapcsolódó linkek

Értesüljön elsőként legújabb termékeinkről és szolgáltatásainkról!

E-mail cím

A levelezőlistára való feliratkozáskor megadott személyes adatokat az adatvédelmi szabályzatunknak megfelelően kezeljük.