Fairchild Semiconductor AEC-Q101 IGBT N típus-csatornás, 21 A, 430 V, 3-tüskés Felület, TO-263

Minden IGBT-k megtekintése

Részösszeg (1 tekercs / 800 egység)*

475 520 Ft

(ÁFA nélkül)

603 920 Ft

(ÁFÁ-val)

Add to Basket
Adja meg a mennyiséget
Átmenetileg nincsen készleten
  • Szállítás 2026. november 18. dátumtól
Többre van szüksége? További részletekért kattintson a „Szállítási dátumok ellenőrzése” gombra.
Egység
Egységenként
orsónként*
800 +594,40 Ft475 520 Ft

*irányár

RS raktári szám:
166-2084
Gyártó cikkszáma:
ISL9V3040S3ST
Gyártó:
Fairchild Semiconductor
Hasonló termékek keresése egy vagy több attribútum kiválasztásával.
Az összes kiválasztása

Márka

Fairchild Semiconductor

Maximális folyamatos kollektoráram Ic

21A

Terméktípus

IGBT

Maximális kollektor kibocsátó feszültség Vceo

430V

Maximális teljesítménydisszipáció Pd

150W

Csomag típusa

TO-263

Rögzítés típusa

Felület

Csatorna típusa

N típus

Tüskék száma

3

Maximális kollektor emitter telítettségi feszültség Vce SAT

1.6V

Min. működési hőmérséklet

-40°C

Maximális kapu-emitter feszültség VGEO

±10 V

Maximális működési hőmérséklet

175°C

Szabványok/jóváhagyások

RoHS

Sorozat

EcoSPARK

Járműipari szabvány

AEC-Q101

Energiabesorolás

300mJ

Diszkrét IGBT-k Fairchild Semiconductor


IGBT diszkrét és modulok, Fairchild Semiconductor


A Szigetelt Gate Bipoláris tranzisztor vagy az IGBT egy hárompólusú, nagy hatékonyságú és gyors kapcsolású félvezető eszköz. Az IGBT a MOSFET-ek egyszerű kapumeghajtó-jellemzőit kombinálja a kétpoláris tranzisztorok nagy áramerősségű és alacsony szaturációs feszültségszintű képességével, a vezérlőbemenethez elszigetelt FET és a kétpólusos tranzisztort kapcsolóként egyesítve egyetlen eszközben.

Kapcsolódó linkek